參數(shù)資料
型號(hào)： PMBFJ211
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類： 小信號(hào)晶體管
英文描述： N-channel field-effect transistors
中文描述： 25 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, JFET
封裝： PLASTIC, SOT-23, 3 PIN
文件頁數(shù)： 10/12頁
文件大?。?/td> 100K
代理商： PMBFJ211
1997 Dec 01
10
Philips Semiconductors
Product specification
N-channel field-effect transistors
PMBFJ210; PMBFJ211; PMBFJ212
PACKAGE OUTLINE
UNIT
A
1
max.
b
p
c
D
E
e
1
H
E
L
p
Q
w
v
REFERENCES
OUTLINE
VERSION
EUROPEAN
PROJECTION
ISSUE DATE
97-02-28
IEC
JEDEC
EIAJ
mm
0.1
0.48
0.38
0.15
0.09
3.0
2.8
1.4
1.2
0.95
e
1.9
2.5
2.1
0.55
0.45
0.1
0.2
DIMENSIONS (mm are the original dimensions)
0.45
0.15
SOT23
bp
D
e1
e
A
A1
Lp
Q
detail X
HE
E
w
M
v
M
A
B
A
B
0
1
2 mm
scale
A
1.1
0.9
c
X
1
2
3
Plastic surface mounted package; 3 leads
SOT23
相關(guān)PDF資料
PDF描述
PMBFJ212 N-channel field-effect transistors
PMBT3640 PNP 1 GHz switching transistor
PMBT3904D SPLIT BOLT CONNECTOR
PMBT5401 PNP high-voltage transistor
PMBTH10 NPN 1 GHz general purpose switching transistor
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
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PMBFJ308 T/R 功能描述:射頻JFET晶體管 TAPE7 FET-RFSS RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:N-Channel 正向跨導(dǎo) gFS（最大值/最小值）: 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）: 漏源電壓 VDS:40 V 閘/源截止電壓:5 V 閘/源擊穿電壓:40 V 最大漏極/柵極電壓:40 V 漏極電流（Vgs=0 時(shí)的 Idss）:25 mA to 75 mA 漏極連續(xù)電流: 功率耗散:250 mW 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOT-23 封裝:Reel
PMBFJ308,215 功能描述:射頻JFET晶體管 TAPE7 FET-RFSS RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:N-Channel 正向跨導(dǎo) gFS（最大值/最小值）: 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）: 漏源電壓 VDS:40 V 閘/源截止電壓:5 V 閘/源擊穿電壓:40 V 最大漏極/柵極電壓:40 V 漏極電流（Vgs=0 時(shí)的 Idss）:25 mA to 75 mA 漏極連續(xù)電流: 功率耗散:250 mW 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOT-23 封裝:Reel
PMBFJ308T/R 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | JFET | N-CHANNEL | 25V V(BR)DSS | 12MA I(DSS) | TO-236
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