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參數(shù)資料
| 型號： | PM45502C |
| 廠商： | Hitachi,Ltd. |
| 英文描述： | Silicon N-Channel Power MOS FET Module |
| 中文描述： | 硅N溝道功率MOS場效應(yīng)晶體管模塊 |
| 文件頁數(shù)： | 5/9頁 |
| 文件大?。?/td> | 50K |
| 代理商： | PM45502C |
PM45502C
5
10
820
Gate to Source Voltage VGS (V)
Drain
to
Source
Saturation
Voltage
V
DS
(on)
(V)
8
2
412
16
0
4
6
Drain to Source Saturation Voltage
vs. Gate to Source Voltage
50 A
ID = 25 A
Pulse Test
75 A
0.5
10
200
Drain Current ID (A)
Static
Drain
to
Source
on
State
Resistance
R
DS
(on)
(
)
0.2
0.01
5
20
100
2
0.05
0.1
Static Drain to Source on State
Resistance vs. Drain Current
0.02
0.005
50
VGS = 10 V
Pulse Test
15 V
0.20
40
160
Case Temperature TC (°C)
Static
Drain
to
Source
on
State
Resistance
R
DS
(on)
(
)
0.16
0.04
0
80
120
0
0.08
0.12
Static Drain to Source on State
Resistance vs. Temperature
ID = 25 A
VGS = 10 V
Pulse Test
50 A
–40
75 A
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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| PM4575N | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET POWER MODULE | HALF BRIDGE | 450V V(BR)DSS | 75A I(D) |
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