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參數(shù)資料
| 型號： | PM45502C |
| 廠商： | Hitachi,Ltd. |
| 英文描述： | Silicon N-Channel Power MOS FET Module |
| 中文描述： | 硅N溝道功率MOS場效應(yīng)晶體管模塊 |
| 文件頁數(shù)： | 2/9頁 |
| 文件大小： | 50K |
| 代理商： | PM45502C |
PM45502C
2
Outline
LF-C
Equivalent Circuit
D2
D1
S2
S1
G2
S2
G1
S1
No
S1
D1
S2
D2
G1
S1
G2
S2
Electrode
Source 1
Drain 1
Source 2
Drain 2
Gate 1
Source 1
Gate 2
Source 2
Terminals
M5 screw
#110
Remarks
Power terminal
Signal terminals
Rg
D2
S2
D1
G1
S1
G2
S2
Absolute Maximum Ratings (Ta = 25°C) (Per FET chip)
Item
Symbol
Rating
Unit
Drain source voltage
V
DSS
450
V
Gate source voltage
V
GSS
±20
V
Drain current
I
D
50
A
Drain peak current
I
D(peak)
100
A
Body to drain diode reverse drain current
I
DR
50
A
Body to drain diode reverse drain peak current
I
DR(peak)
100
A
Channel dissipation
Pch*
1
300
W
Channel temperature
Tch
150
°C
Storage temperature
Tstg
–45 to +125
°C
Insulation dielectric
Visol*
2
2000
V
Notes 1. Value at Tc = 25°C
2. Base to terminals AC minute
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
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| PM5GGSFREQ6 | QUARTZ CRYSTAL RESONATOR, 40 MHz - 49.999 MHz |
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
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| PM4575N | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET POWER MODULE | HALF BRIDGE | 450V V(BR)DSS | 75A I(D) |
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