參數(shù)資料
型號： PIP3201-A
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類： 外設及接口
英文描述： PowerMOS transistor TOPFET high side switch
中文描述： 9 A BUF OR INV BASED PRPHL DRVR, PSFM5
封裝： PLASTIC, TO-220, SOT-263-01, SEP-5
文件頁數(shù)： 9/13頁
文件大?。?/td> 196K
代理商： PIP3201-A
Philips Semiconductors
Product data
PowerMOS transistor
TOPFET high side switch
PIP3201-A
Fig.16. Typical status low characteristic.
V
SG
= f(T
j
); conditions V
BG
≥
9 V, I
S
= 100
μ
A
Fig.17. Typical threshold voltage characteristic.
V
IG
= f(T
j
); condition 9V
≤
V
BG
≤
16V
Fig.18. Typical input clamping voltage.
V
IG
= f(T
j
); condition I
I
= 200
μ
A, V
BG
= 13V
Fig.19. Typical status low characteristic, T
j
= 25 C.
I
S
= f(V
SG
); conditions V
IG
= 5V, V
BG
= 13V,I
L
= 0A
Fig.20. Typical status clamping voltage.
V
SG
= f(T
j
); condition I
S
= 100
μ
A, V
BG
= 13V
Fig.21. Typical status characteristic, T
= 25 C.
I
S
= f(V
SG
); conditions V
IG
= V
BG
= 0V
V
SG(LOW)
/ V
0
0.5
1
-50
0
50
100
150
200
T
j
/
O
C
I
S
/ mA
0
2
4
6
8
0
1
2
3
4
5
V
SG
/ V
1.00
1.50
2.00
2.50
3.00
-50
0
50
100
150
200
T
j
/
O
C
V
IG
/ V
V
IG(ON)
V
IG(OFF)
6.50
6.60
6.70
6.80
6.90
7.00
7.10
7.20
7.30
7.40
7.50
-50
0
50
100
150
200
T
j
/
O
C
V
SG
/ V
V
IG
/ V =
0
5
6.50
6.60
6.70
6.80
6.90
7.00
7.10
7.20
7.30
7.40
7.50
-50
0
50
100
150
200
T
j
/
O
C
V
IG
/ V
I
S
/ mA
0
5
10
15
20
0
2
4
6
8
10
V
SG
/ V
May 2001
9
Rev 1.010
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PDF描述
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