參數(shù)資料
型號(hào)： PIP3201-A
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類： 外設(shè)及接口
英文描述： PowerMOS transistor TOPFET high side switch
中文描述： 9 A BUF OR INV BASED PRPHL DRVR, PSFM5
封裝： PLASTIC, TO-220, SOT-263-01, SEP-5
文件頁(yè)數(shù)： 7/13頁(yè)
文件大?。?/td> 196K
代理商： PIP3201-A
Philips Semiconductors
Product data
PowerMOS transistor
TOPFET high side switch
PIP3201-A
Fig.4. High side switch measurements schematic.
(current and voltage conventions)
Fig.5. Typical on-state resistance, t
= 300
μ
s.
R
ON
= f(T
j
); parameter V
BG
; condition I
L
= 10 A
Fig.6. Typical on-state characteristics, T
j
= 25 C.
I
L
= f(T
j
); parameter V
BG
; t
p
= 250
μ
s
Fig.7. Typical supply characteristics, 25 C.
I
G
= f(V
BG
); parameter V
IG
Fig.8. Typical on-state resistance,T
= 25 C.
R
ON
= f(V
BG
); condition I
L
= 10 A; t
p
= 300
μ
s
Fig.9. Typical operating supply current.
I
G
= f(T
j
); parameters I
L
, V
BG
; condition V
IG
= 5 V
L
I
S
TOPFET
HSS
B
G
IB
IG
II
IS
IL
VBG
VIG
VSG
RS
VLG
L
VBL
0
1
2
3
4
5
0
10
20
30
40
50
60
70
V
BG
/ V
I
BG(ON)
/ mA
OPERATING V
IG
= 5 V
CLAMPING
OVERVOLTAGE
SHUTDOWN
UNDERVOLTAGE
SHUTDOWN
QUIESCENT V
IG
= 0 V
0
20
40
60
80
-50
0
50
100
150
200
T
j
/
O
C
R
ON
/ mOhm
V
BG
= 6 V
9 V =< V
BG
=< 35 V
typ
.
R
ON
/ mOhm
20
22
24
26
28
30
32
34
36
38
40
1
10
100
V
BG
/ V
R
ON
max
0
10
20
30
40
50
0
1
2
V
BL
/ V
I
L
/ A
5
6
7
V
BG
/ V
> = 8
0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
-50
0
50
100
150
200
T
j
/
O
C
I
G
/ mA
lL > IL(TO)
l
V
BG
= 50 V
9 V <= V
BG
<= 35 V
typ.
l
L
= 0 A
May 2001
7
Rev 1.010
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PDF描述
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PIP3202-DC 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:MOSFET N INTELLIGENT
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