參數(shù)資料
型號(hào)： PIP3201-A
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類： 外設(shè)及接口
英文描述： PowerMOS transistor TOPFET high side switch
中文描述： 9 A BUF OR INV BASED PRPHL DRVR, PSFM5
封裝： PLASTIC, TO-220, SOT-263-01, SEP-5
文件頁數(shù)： 10/13頁
文件大?。?/td> 196K
代理商： PIP3201-A
Philips Semiconductors
Product data
PowerMOS transistor
TOPFET high side switch
PIP3201-A
Fig.22. Typical battery to ground clamping voltage.
V
BG
= f(T
j
); parameter I
G
Fig.23. Typical battery to load clamping voltage.
V
BL
= f(T
j
); parameter I
L
; condition I
G
= 10mA
Fig.24. Typical negative load clamping.
I
L
= f(V
LG
); conditions V
IG
= = 0V, T
j
= 25C
Fig.25. Typical negative load clamping voltage.
V
LG
= f(T
j
); parameter I
L
; condition V
IG
= = 0V
Fig.26. Typical reverse diode characteristic.
I
L
= f(V
BL
); conditions V
IG
= 0 V, T
j
= 25 C
Fig.27. Typical overload characteristic, T
= 25 C.
I
L
= f(V
BL
); condition V
BG
= 16 V; parameter t
p
50
55
60
65
-50
0
50
100
150
200
T
j
/
O
C
V
BG
/ V
I
G
=
1 mA
200 mA
-30
-25
-20
-15
-10
-50
0
50
100
150
200
T
j
/
O
C
I
L
=
10 mA
10 A
V
LG
/ V
50
55
60
65
-50
0
50
100
150
200
T
j
/
O
C
I
L
=
600 mA
1 mA
V
BL
/ V
I
L
/ A
-50
-45
-40
-35
-30
-25
-20
-15
-10
-5
0
-1.1
-1.0
-0.9
-0.8
-0.7
-0.6
-0.5
-0.4
-0.3
-0.2
-0.1
0.0
V
BL
/ V
I
L
/ A
0
5
10
-30
-25
-20
V
LG
/ V
-15
-10
I
L
/ A
0
5
10
15
20
25
30
35
40
45
50
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
V
BL
/ V
Short circuit trip = 150us
V
BL(TO)
typ.
current limiting
May 2001
10
Rev 1.010
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PDF描述
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PIP3202-DC 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:MOSFET N INTELLIGENT
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