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參數(shù)資料
| 型號： | PIC16LF877T-20/PT |
| 元件分類： | 微控制器/微處理器 |
| 英文描述： | 8-BIT, FLASH, 20 MHz, RISC MICROCONTROLLER, PQFP44 |
| 封裝： | 10 X 10 MM, 1 MM HEIGHT, PLASTIC, TQFP-44 |
| 文件頁數(shù)： | 139/200頁 |
| 文件大?。?/td> | 1378K |
| 代理商： | PIC16LF877T-20/PT |
第1頁第2頁第3頁第4頁第5頁第6頁第7頁第8頁第9頁第10頁第11頁第12頁第13頁第14頁第15頁第16頁第17頁第18頁第19頁第20頁第21頁第22頁第23頁第24頁第25頁第26頁第27頁第28頁第29頁第30頁第31頁第32頁第33頁第34頁第35頁第36頁第37頁第38頁第39頁第40頁第41頁第42頁第43頁第44頁第45頁第46頁第47頁第48頁第49頁第50頁第51頁第52頁第53頁第54頁第55頁第56頁第57頁第58頁第59頁第60頁第61頁第62頁第63頁第64頁第65頁第66頁第67頁第68頁第69頁第70頁第71頁第72頁第73頁第74頁第75頁第76頁第77頁第78頁第79頁第80頁第81頁第82頁第83頁第84頁第85頁第86頁第87頁第88頁第89頁第90頁第91頁第92頁第93頁第94頁第95頁第96頁第97頁第98頁第99頁第100頁第101頁第102頁第103頁第104頁第105頁第106頁第107頁第108頁第109頁第110頁第111頁第112頁第113頁第114頁第115頁第116頁第117頁第118頁第119頁第120頁第121頁第122頁第123頁第124頁第125頁第126頁第127頁第128頁第129頁第130頁第131頁第132頁第133頁第134頁第135頁第136頁第137頁第138頁當(dāng)前第139頁第140頁第141頁第142頁第143頁第144頁第145頁第146頁第147頁第148頁第149頁第150頁第151頁第152頁第153頁第154頁第155頁第156頁第157頁第158頁第159頁第160頁第161頁第162頁第163頁第164頁第165頁第166頁第167頁第168頁第169頁第170頁第171頁第172頁第173頁第174頁第175頁第176頁第177頁第178頁第179頁第180頁第181頁第182頁第183頁第184頁第185頁第186頁第187頁第188頁第189頁第190頁第191頁第192頁第193頁第194頁第195頁第196頁第197頁第198頁第199頁第200頁
PIC16F87X
1998 Microchip Technology Inc.
Preliminary
DS30292A-page 43
4.3
Reading the Data EEPROM Memory
To read a data memory location, the user must write
the address to the EEADR register, clear the EEPGD
control bit (EECON1<7>) and then set control bit RD
(EECON1<0>). The data is available, in the very next
instruction cycle, in the EEDATA register; therefore it
can be read by the next instruction. EEDATA will hold
this value until another read operation or until it is writ-
ten to by the user (during a write operation).
EXAMPLE 4-1:
DATA EEPROM READ
BSF
STATUS, RP1
;
BCF
STATUS, RP0
; Bank 2
MOVLW
DATA_EE_ADDR
;
MOVWF
EEADR
; Data Memory Address to read
BSF
STATUS, RP0
; Bank 3
BCF
EECON1, EEPGD ; Point to DATA memory
BSF
EECON1, RD
; EEPROM Read
BCF
STATUS, RP0
; Bank 2
MOVF
EEDATA, W
; W = EEDATA
4.4
Writing to the Data EEPROM Memory
To write an EEPROM data location, the address must
rst be written to the EEADR register and the data to
the
EEDATA
register.
Then
the
sequence
in
Example 4-2 must be followed to initiate the write cycle.
EXAMPLE 4-2:
DATA EEPROM WRITE
The write will not initiate if the above sequence is not
exactly followed (write 55h to EECON2, write AAh to
EECON2, then set WR bit) for each byte. It is strongly
recommended that interrupts be disabled during this
code segment.
Additionally, the WREN bit in EECON1 must be set to
enable writes. This mechanism prevents accidental
writes to data EEPROM due to unexpected code exe-
cution (i.e., lost programs). The WREN bit should be
kept clear at all times, except when updating the
EEPROM. The WREN bit is not cleared by hardware
After a write sequence has been initiated, clearing the
WREN bit will not affect the current write cycle. The WR
bit will be inhibited from being set unless the WREN bit
is set. The WREN bit must be set on a previous instruc-
tion, both WR and WREN cannot be set with the same
instruction.
At the completion of the write cycle, the WR bit is
cleared in hardware and the EEPROM Write Complete
Interrupt Flag bit (EEIF) is set. EEIF must be cleared by
software.
BSF
STATUS, RP1
;
BCF
STATUS, RP0
; Bank 2
MOVLW
DATA_EE_ADDR
;
MOVWF
EEADR
; Data Memory Address to write
MOVLW
DATA_EE_DATA
;
MOVWF
EEDATA
; Data Memory Value to write
BSF
STATUS, RP0
; Bank 3
BCF
EECON1, EEPGD ; Point to DATA memory
BSF
EECON1, WREN
; Enable writes
BCF
INTCON, GIE
; Disable Interrupts
MOVLW
55h
;
Required
MOVWF
EECON2
; Write 55h
Sequence
MOVLW
AAh
;
MOVWF
EECON2
; Write AAh
BSF
EECON1, WR
; Set WR bit to begin write
BSF
INTCON, GIE
; Enable Interrupts
SLEEP
; Wait for interrupt to signal write complete
BCF
EECON1, WREN
; Disable writes
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