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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | PHP9N60E |
| 廠商： | NXP SEMICONDUCTORS |
| 元件分類(lèi)： | JFETs |
| 英文描述： | PowerMOS transistors Avalanche energy rated |
| 中文描述： | 8.7 A, 600 V, 0.85 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 4/7頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 41K |
| 代理商： | PHP9N60E |
Philips Semiconductors
Preliminary specification
PowerMOS transistors
Avalanche energy rated
PHP9N60E, PHB9N60E, PHW9N60E
MECHANICAL DATA
Dimensions in mm
Net Mass: 2 g
Fig.1. SOT78 (TO220AB); pin 2 connected to mounting base.
Notes
1. Observe the general handling precautions for electrostatic-discharge sensitive devices (ESDs) to prevent
damage to MOS gate oxide.
2. Refer to mounting instructions for SOT78 (TO220) envelopes.
3. Epoxy meets UL94 V0 at 1/8".
10,3
max
3,7
2,8
3,0
3,0 max
not tinned
1,3
max
(2x)
1 2 3
2,4
0,6
4,5
max
5,9
min
15,8
max
1,3
2,54 2,54
0,9 max (3x)
13,5
min
January 1998
4
Rev 1.000
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PDF描述 |
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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