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參數(shù)資料
| 型號： | PHP33N10 |
| 廠商： | NXP SEMICONDUCTORS |
| 元件分類： | JFETs |
| 英文描述： | PowerMOS transistor(功率MOS晶體管) |
| 中文描述： | 34 A, 100 V, 0.057 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB |
| 封裝： | PLASTIC, TO-220AB, 3 PIN |
| 文件頁數(shù)： | 5/7頁 |
| 文件大小： | 73K |
| 代理商： | PHP33N10 |
Philips Semiconductors
Product specification
PowerMOS transistor
PHP33N10
Fig.13. Typical turn-on gate-charge characteristics.
V
GS
= f(Q
G
); parameter V
DS
Fig.14. Normalised drain-source breakdown voltage
V
(BR)DSS
/V
(BR)DSS 25 C
= f(T
j
)
Fig.15. Source-Drain diode characteristic.
I
F
= f(V
SDS
); parameter T
j
Fig.16. Normalised unclamped inductive energy.
E
AS
% = f(T
j
)
Fig.17. Unclamped inductive test circuit.
E
AS
=
0.5
LI
D
0
20
40
QG / nC
VGS / V
12
10
8
6
4
2
0
VDS / V =20
80
BUK456-100
20
40
60
80
Starting Tj ( C)
100
120
140
160
180
120
110
100
90
80
70
60
50
40
30
20
10
0
EAS, Normalised unclamped inductive energy (%)
-100
-50
0
50
100
150
0.85
0.9
0.95
1
1.05
1.1
1.15
Tj, Junction temperature (C)
Normalised Drain-source breakdown voltage
V(BR)DSS @ Tj
V(BR)DSS @ 25 C
L
T.U.T.
VDD
RGS
R 01
shunt
VDS
-ID/100
+
-
VGS
0
2
V
(
BR
)
DSS
/(
V
(
BR
)
DSS
V
DD
)
0
1
2
BUK456-100A
VSDS / V
IF / A
70
60
50
40
30
20
10
0
Tj / C = 150
25
April 1998
5
Rev 1.100
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| PHP34NQ11T | N-channel TrenchMOS⑩ standard level FET |
| PHP37N06LT | TrenchMOS transistor Logic level FET |
| PHP37N06 | TrenchMOS transistor Logic level FET |
| PHB37N06LT | TrenchMOS transistor Logic level FET |
| PHD37N06LT | TrenchMOS transistor Logic level FET |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| PHP33N10/B | 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:TRANSISTOR UNIVERSAL MOSFET SOT |
| PHP33NQ20T | 功能描述:MOSFET TRENCHMOS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| PHP33NQ20T,127 | 功能描述:MOSFET TRENCHMOS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| PHP34NQ10T | 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:N-channel TrenchMOS transistor |
| PHP34NQ11T | 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:N-channel TrenchMOS⑩ standard level FET |
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