參數(shù)資料
型號： PHP3055
廠商： NXP Semiconductors N.V.
英文描述： N-channel TrenchMOS transistor
中文描述： N溝道TrenchMOS晶體管
文件頁數(shù)： 6/10頁
文件大?。?/td> 103K
代理商： PHP3055
Philips Semiconductors
Product specification
N-channel TrenchMOS
transistor
PHP3055E PHD3055E
Fig.13. Typical turn-on gate-charge characteristics.
V
GS
= f(Q
G
)
Fig.14. Typical reverse diode current.
I
F
= f(V
SDS
); conditions: V
GS
= 0 V; parameter T
j
Fig.15. Maximum permissible non-repetitive
avalanche current (I
) versus avalanche time (t
AV
);
unclamped inductive load
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
0
1
2
3
4
5
6
7
8
Gate charge, QG (nC)
Gate-source voltage, VGS (V)
ID = 10A
Tj = 25 C
VDD = 11 V
VDD = 44 V
0.1
1
10
100
0.001
0.01
0.1
1
10
Avalanche time, t
AV
(ms)
Maximum Avalanche Current, I
AS
(A)
Tj prior to avalanche = 150 C
25 C
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1
1.1
1.2
Source-Drain Voltage, VSDS (V)
Source-Drain Diode Current, IF (A)
Tj = 25 C
175 C
VGS = 0 V
August 1999
6
Rev 1.200
相關(guān)PDF資料
PDF描述
PHP3055E N-channel TrenchMOS transistor
PHP32N06L N-channel enhancement mode field effect transistor
PHP32N06LT N-channel enhancement mode field effect transistor
PHP36N06E PowerMOS transistor
PHP3N20E PowerMOS transistor
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參數(shù)描述
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