參數(shù)資料
型號(hào): PHP23NQ10T
廠商: NXP SEMICONDUCTORS
元件分類(lèi): JFETs
英文描述: N-channel TrenchMOS transistor
中文描述: 23 A, 100 V, 0.07 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB
文件頁(yè)數(shù): 9/12頁(yè)
文件大?。?/td> 99K
代理商: PHP23NQ10T
Philips Semiconductors
Product specification
N-channel TrenchMOS
transistor
PHP23NQ10T, PHB23NQ10T
PHD23NQ10T
MOUNTING INSTRUCTIONS
Dimensions in mm
Fig.18. SOT404 : soldering pattern for surface mounting
17.5
11.5
9.0
5.08
3.8
2.0
August 1999
9
Rev 1.100
相關(guān)PDF資料
PDF描述
PHB23NQ10T N-channel TrenchMOS transistor
PHD23NQ10T N-channel TrenchMOS transistor
PHP23NQ15T N-channel TrenchMOS transistor
PHB23NQ15T N-channel TrenchMOS transistor
PHP24N03T TrenchMOS transistor Standard level FET
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
PHP23NQ11T 功能描述:MOSFET TRENCHMOS (TM) FET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
PHP23NQ11T,127 功能描述:MOSFET TRENCHMOS (TM) FET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
PHP23NQ15T 制造商:PHILIPS 制造商全稱(chēng):NXP Semiconductors 功能描述:N-channel TrenchMOS transistor
PHP24 制造商:ProTek Devices 功能描述:Diode TVS Single Bi-Dir 34V 7.5KW 2-Pin 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:TVS SGL BI-DIR 34V 7.5KW 2PIN CASE 11 - Bulk
PHP24-3,50 功能描述:可插拔接線端子 HorizHd 3.5mm ClEnd RoHS:否 制造商:Phoenix Contact 產(chǎn)品:Plugs 系列:PTS 端接類(lèi)型:Spring Cage 位置/觸點(diǎn)數(shù)量:5 線規(guī)量程:26-14 節(jié)距:5 mm 電流額定值:10 A 電壓額定值:250 V 安裝風(fēng)格: 安裝角: 觸點(diǎn)電鍍: