參數(shù)資料
型號(hào): PHP23NQ10T
廠商: NXP SEMICONDUCTORS
元件分類(lèi): JFETs
英文描述: N-channel TrenchMOS transistor
中文描述: 23 A, 100 V, 0.07 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB
文件頁(yè)數(shù): 6/12頁(yè)
文件大小: 99K
代理商: PHP23NQ10T
Philips Semiconductors
Product specification
N-channel TrenchMOS
transistor
PHP23NQ10T, PHB23NQ10T
PHD23NQ10T
Fig.13. Typical turn-on gate-charge characteristics.
V
GS
= f(Q
G
)
Fig.14. Typical reverse diode current.
I
F
= f(V
SDS
); conditions: V
GS
= 0 V; parameter T
j
Fig.15. Maximum permissible non-repetitive
avalanche current (I
) versus avalanche time (t
AV
);
unclamped inductive load
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
0
5
10
15
20
25
30
35
Gate charge, QG (nC)
Gate-source voltage, VGS (V)
ID = 23A
Tj = 25 C
VDD = 20 V
VDD = 80 V
0.1
1
10
100
0.001
0.01
0.1
1
10
Avalanche time, t
AV
(ms)
Maximum Avalanche Current, I
AS
(A)
Tj prior to avalanche = 150 C
25 C
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
22
24
26
28
30
0
0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 0.7 0.8 0.9
Source-Drain Voltage, VSDS (V)
1
1.1 1.2 1.3 1.4 1.5
Source-Drain Diode Current, IF (A)
Tj = 25 C
175 C
VGS = 0 V
August 1999
6
Rev 1.100
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PDF描述
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參數(shù)描述
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PHP23NQ11T,127 功能描述:MOSFET TRENCHMOS (TM) FET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
PHP23NQ15T 制造商:PHILIPS 制造商全稱(chēng):NXP Semiconductors 功能描述:N-channel TrenchMOS transistor
PHP24 制造商:ProTek Devices 功能描述:Diode TVS Single Bi-Dir 34V 7.5KW 2-Pin 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:TVS SGL BI-DIR 34V 7.5KW 2PIN CASE 11 - Bulk
PHP24-3,50 功能描述:可插拔接線(xiàn)端子 HorizHd 3.5mm ClEnd RoHS:否 制造商:Phoenix Contact 產(chǎn)品:Plugs 系列:PTS 端接類(lèi)型:Spring Cage 位置/觸點(diǎn)數(shù)量:5 線(xiàn)規(guī)量程:26-14 節(jié)距:5 mm 電流額定值:10 A 電壓額定值:250 V 安裝風(fēng)格: 安裝角: 觸點(diǎn)電鍍: