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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | PHP222 |
| 廠商： | NXP SEMICONDUCTORS |
| 元件分類： | JFETs |
| 英文描述： | Dual P-channel enhancement mode MOS transistor |
| 中文描述： | 1.93 A, 30 V, 0.22 ohm, 2 CHANNEL, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, MS-012AA |
| 封裝： | PLASTIC, SO-8 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 4/8頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 54K |
| 代理商： | PHP222 |
1998 Apr 01
4
Philips Semiconductors
Preliminary specification
Dual P-channel enhancement
mode MOS transistor
PHP222
CHARACTERISTICS
T
j
= 25
°
C unless otherwise specified.
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
MIN.
TYP.
MAX.
UNIT
Per P-channel
V
(BR)DSS
V
GSth
I
DSS
I
GSS
R
DSon
drain-source breakdown voltage
gate-source threshold voltage
drain-source leakage current
gate leakage current
drain-source on-state resistance
V
GS
= 0; I
D
=
10
μ
A
V
GS
= V
DS
; I
D
=
1 mA
V
GS
= 0; V
DS
=
24 V
V
GS
=
±
8 V; V
DS
= 0
V
GS
=
4.5 V; I
D
=
1.6 A
V
GS
=
2.5 V; I
D
=
1.6 A
V
GS
=
1.8 V; I
D
=
0.8 A
V
GS
= 0; V
DS
=
24 V; f = 1 MHz
V
GS
= 0; V
DS
=
24 V; f = 1 MHz
V
GS
= 0; V
DS
=
24 V; f = 1 MHz
V
GS
=
4.5 V; V
DD
=
15 V;
I
D
=
1 A; T
amb
= 25
°
C
V
DD
=
15 V; I
D
=
1 A; T
amb
= 25
°
C
V
DD
=
15 V; I
D
=
1 A; T
amb
= 25
°
C
30
0.4
696
163
73
16
100
±
100
200
220
250
V
V
nA
nA
m
m
m
pF
pF
pF
nC
C
iss
C
oss
C
rss
Q
G
input capacitance
output capacitance
reverse transfer capacitance
total gate charge
Q
GS
Q
GD
gate-source charge
gate-drain charge
0.7
4.1
nC
nC
Switching times
t
d(on)
t
r
t
on
t
d(off)
t
f
t
off
turn-on delay time
rise time
turn-on switching time
turn-off delay time
fall time
turn-off switching time
V
GS
= 0 to
8 V; V
DD
=
20 V;
I
D
=
1 A; R
gen
= 6
3.5
4
7.5
90
35
125
ns
ns
ns
ns
ns
ns
V
GS
=
8 to 0 V; V
DD
=
20 V;
I
D
=
1 A; R
gen
= 6
Source-drain diode
V
SD
source-drain diode forward
voltage
reverse recovery time
V
GD
= 0; I
S
=
1.25 A
1.3
V
t
rr
I
S
=
1.25 A; di/dt = 100 A/
μ
s
65
ns
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PDF描述 |
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參數(shù)描述 |
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