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參數(shù)資料
| 型號： | PHP222 |
| 廠商： | NXP SEMICONDUCTORS |
| 元件分類： | JFETs |
| 英文描述： | Dual P-channel enhancement mode MOS transistor |
| 中文描述： | 1.93 A, 30 V, 0.22 ohm, 2 CHANNEL, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, MS-012AA |
| 封裝： | PLASTIC, SO-8 |
| 文件頁數(shù)： | 2/8頁 |
| 文件大?。?/td> | 54K |
| 代理商： | PHP222 |
1998 Apr 01
2
Philips Semiconductors
Preliminary specification
Dual P-channel enhancement
mode MOS transistor
PHP222
FEATURES
Very low on-state resistance
High-speed switching
No secondary breakdown
Low threshold.
APPLICATIONS
Power management
DC-DC converters
General purpose switch.
DESCRIPTION
Two P-channel enhancement mode MOS transistors in an
8-pin SOT96-1 (SO8) SMD plastic package.
CAUTION
The device is supplied in an antistatic package.
The gate-source input must be protected against static
discharge during transport or handling.
PINNING - SOT96-1 (SO8)
PIN
SYMBOL
DESCRIPTION
1
2
3
4
5
6
7
8
s
1
g
1
s
2
g
2
d
2
d
2
d
1
d
1
source 1
gate 1
source 2
gate 2
drain 2
drain 2
drain 1
drain 1
Fig.1 Simplified outline and symbol.
handbook, halfpage
d
MAM119
1
4
5
8
g
s
d
1
1
1
1
d
g
s
d
2
2
2
2
QUICK REFERENCE DATA
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
MIN.
MAX.
30
1.3
±
8
3.2
220
3.5
UNIT
V
DS
V
SD
V
GSO
V
GSth
I
D
R
DSon
P
tot
drain-source voltage (DC)
source-drain diode forward voltage
gate-source voltage (DC)
gate-source threshold voltage
drain current (DC)
drain-source on-state resistance
total power dissipation
0.4
V
V
V
V
A
m
W
I
S
=
1.25 A; V
GD
= 0
open drain
I
D
=
1 mA; V
DS
= V
GS
T
s
= 80
°
C
I
D
=
1.6 A; V
GS
=
2.5 V
T
s
= 80
°
C
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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| PHP22-3.50 | 制造商:ALTECH CORP 功能描述:Conn;TermBlk;PCB;Header;SnglLvl;90DegAngl;Sldr;22Pole;3.5mmPitch;PHP-3.50Series |
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