參數(shù)資料
型號(hào)： PHP20N06E
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類(lèi)： JFETs
英文描述： PowerMOS transistor
中文描述： 22 A, 60 V, 0.08 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB
封裝： PLASTIC PACKAGE-3
文件頁(yè)數(shù)： 7/15頁(yè)
文件大小： 334K
代理商： PHP20N06E
Philips Semiconductors
PHP20N06T; PHB20N06T
N-channel TrenchMOS transistor
Product specification
Rev. 01 — 22 February 2001
7 of 15
9397 750 07894
Philips Electronics N.V. 2001. All rights reserved.
I
D
= 1 mA; V
DS
= V
GS
Fig 9.
Gate-source threshold voltage as a function of
junction temperature.
T
j
= 25
°
C; V
DS
= V
GS
Fig 10. Sub-threshold drain current as a function of
gate-source voltage.
T
j
= 25
°
C; V
DS
= 25 V
Fig 11. Forward transconductance as a function of
drain current; typical values.
V
GS
= 0 V; f = 1 MHz
Fig 12. Input, output and reverse transfer capacitances
as a function of drain-source voltage; typical
values.
03aa32
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
3.5
4
4.5
5
-60
-20
20
60
100
140
Tj (oC)
180
VGS(th)
(V)
max.
typ.
min
03aa35
10-6
10-5
10-4
10-3
10-2
10-1
0
1
2
3
4
5
max
typ
min
VGS (V)
ID
(A)
003aaa047
0
2
4
6
8
0
5
10
15
20
25
ID (A)
gfs
(S)
003aaa048
0
100
200
300
400
500
600
10-3
10-2
1
10
102
VDS (V)
Ciss, Coss,
Crss
(pF)
Ciss
Coss
Crss
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PHP20N06T,127 功能描述:MOSFET RAIL MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
PHP20NQ20T 功能描述:MOSFET RAIL PWR-MOS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
PHP20NQ20T,127 功能描述:MOSFET RAIL PWR-MOS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
PHP20NQ20T-127 制造商:PHILIPS 制造商全稱(chēng):NXP Semiconductors 功能描述:N-channel TrenchMOS?? transistor
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