參數(shù)資料
型號： PHP20N06E
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類： JFETs
英文描述： PowerMOS transistor
中文描述： 22 A, 60 V, 0.08 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB
封裝： PLASTIC PACKAGE-3
文件頁數(shù)： 3/15頁
文件大小： 334K
代理商： PHP20N06E
Philips Semiconductors
PHP20N06T; PHB20N06T
N-channel TrenchMOS transistor
Product specification
Rev. 01 — 22 February 2001
3 of 15
9397 750 07894
Philips Electronics N.V. 2001. All rights reserved.
V
GS
≥
4.5 V
Fig 1.
Normalized total power dissipation as a
function of mounting base temperature.
Fig 2.
Normalized continuous drain current as a
function of mounting base temperature.
T
mb
= 25
°
C; I
DM
single pulse.
Fig 3.
Safe operating area; continuous and peak drain currents as a function of drain-source voltage.
03aa16
0
20
40
60
80
100
120
0
25
50
75
100
125
150
175
Tmb (oC)
200
Pder
(%)
03aa24
0
20
40
60
80
100
120
0
25
50
75
100
125
150
Tmb (oC)
175
200
Ider
(%)
P
der
P
tot 25 C
°
)
----------------------
100
%
×
=
I
der
I
D 25 C
°
)
------------------
100
%
×
=
003aaa043
10-1
1
10
102
103
1
10
102
VDS (V)
ID
(A)
D.C.
10 ms
RDSon = VDS/ ID
1 ms
tp = 10 us
100 us
tp
tp
T
T
P
t
δ
=
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PHP20NQ20T,127 功能描述:MOSFET RAIL PWR-MOS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
PHP20NQ20T-127 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:N-channel TrenchMOS?? transistor
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