參數(shù)資料
型號(hào)： PHN70308
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類(lèi)： 小信號(hào)晶體管
英文描述： N-channel enhancement mode TrenchMOS transistor array(N溝道增強(qiáng)型TrenchMOS晶體管陣列)
中文描述： 5000 mA, 25 V, 7 CHANNEL, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, MO-150AH
封裝： PLASTIC, SSOP-28
文件頁(yè)數(shù)： 5/10頁(yè)
文件大小： 172K
代理商： PHN70308
Philips Semiconductors
Product specification
N-channel enhancement mode
TrenchMOS transistor array
PHN70308
Fig.5. Sub-threshold drain current.
I
D
= f(V
GS)
; conditions: T
j
= 25 C
Fig.6. Safe operating area (spindle FET) T
= 25C
I
D
& I
DM
= f(V
DS
); I
DM
single pulse; parameter t
p
Fig.7. Safe operating area (isolation FET) T
= 25C
I
D
& I
DM
= f(V
DS
); I
DM
single pulse; parameter t
p
Fig.8. Transient thermal impedance (spindle FET).
Z
th j-sp
= f(t); parameter D = t
p
/T
Fig.9. Transient thermal impedance (isolation FET).
Z
th j-sp
= f(t); parameter D = t
p
/T
Fig.10. Typical output characteristics (spindle FET)
T
j
= 25 C; I
D
= f(V
DS
); parameter V
GS
Drain current, ID (A)
1.0E-06
1.0E-05
1.0E-04
1.0E-03
1.0E-02
1.0E-01
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
Gate-source voltage, VGS (V)
minimum
typical
VDS = 5 V
0.01
0.1
1
10
100
1E-06
1E-05
1E-04
1E-03
Pulse width, tp (s)
1E-02
1E-01
1E+00
1E+01
Transient thermal impedance, Zth j-a (K/W)
single pulse
D = 0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
tp
D = tp/T
D
P
T
0.1
1
10
100
0.1
10
100
1
Peak Pulsed Drain Current, IDM (A)
D.C.
100 ms
10 ms
RDS(on) = VDS/ ID
1 ms
tp = 10 us
100 us
0.01
0.1
1
10
100
1E-06
1E-05
1E-04
1E-03
Pulse width, tp (s)
1E-02
1E-01
1E+00
1E+01
Transient thermal impedance, Zth j-a (K/W)
single pulse
D = 0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
tp
D = tp/T
D
P
T
0.1
1
10
100
0.1
10
100
D1
Peak Pulsed Drain Current, IDM (A)
D.C.
100 ms
10 ms
RDS(on) = VDS/ ID
1 ms
tp = 100 us
0
1
2
3
4
5
6
7
8
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
1.4
1.6
1.8
2
Drain-Source Voltage, VDS (V)
Drain Current, ID (A)
2.6 V
2.8 V
Tj = 25 C
VGS = 10 V
3 V
3.2 V
4.5 V
3.4 V
3.6 V
May 1999
5
Rev 1.000
相關(guān)PDF資料
PDF描述
PHP101NQ03LT TrenchMOS logic level FET
PHU101NQ03LT TrenchMOS logic level FET
PHP109 P-channel enhancement mode MOS transistor(P溝道增強(qiáng)型MOS晶體管)
PHP11N06LT N-channel TrenchMOS transistor Logic level FET(N溝道TrenchMOS 晶體管邏輯電平場(chǎng)效應(yīng)管)
PHD11N06LT N-channel TrenchMOS transistor Logic level FET(N溝道TrenchMOS 晶體管邏輯電平場(chǎng)效應(yīng)管)
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PHNTRAYNOH 功能描述:PHOTON WITHOUT HEADERS IN TRAYS 制造商:particle industries, inc. 系列:WICED 零件狀態(tài):在售 類(lèi)型:收發(fā)器；802.11 b/g/n（Wi-Fi，WiFi，WLAN） 頻率:2.4GHz 配套使用產(chǎn)品/相關(guān)產(chǎn)品:BCM43362，STM32F205 所含物品:板 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1
PH-OB 功能描述:烙鐵 Preheater On/Off Switch RoHS:否 制造商:Weller 產(chǎn)品:Soldering Stations 類(lèi)型:Digital, Iron, Stand, Cleaner 瓦特:50 W 最大溫度:+ 850 F 電纜類(lèi)型:US Cord Included
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