參數(shù)資料
型號： PHN70308
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類： 小信號晶體管
英文描述： N-channel enhancement mode TrenchMOS transistor array(N溝道增強型TrenchMOS晶體管陣列)
中文描述： 5000 mA, 25 V, 7 CHANNEL, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, MO-150AH
封裝： PLASTIC, SSOP-28
文件頁數(shù)： 3/10頁
文件大?。?/td> 172K
代理商： PHN70308
Philips Semiconductors
Product specification
N-channel enhancement mode
TrenchMOS transistor array
PHN70308
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
T
j
= 25C unless otherwise specified
SYMBOL PARAMETER
V
(BR)DSS
Drain-source breakdown
voltage
V
GS(TO)
Gate threshold voltage
R
DS(ON)
Drain-source on-state
resistance
CONDITIONS
V
GS
= 0 V; I
D
= 10
μ
A
MIN.
25
TYP. MAX. UNIT
-
-
V
V
DS
= V
; I
D
= 1 mA
V
GS
= 10 V; I
D
= 4 A
1.0
1.5
-
V
spindle FET
isolation FET
-
-
60
27
80
30
m
m
R
DS(ON)
Drain-source on-state
resistance
V
GS
= 4.5 V; I
D
= 2 A
spindle FET
isolation FET
-
-
95
38
150
60
m
m
R
DS(ON)
Drain-source on-state
resistance
V
GS
= 10 V; I
D
= 4 A; T
j
= 150C
spindle FET
isolation FET
-
-
-
-
-
102
46
10
10
0.1
136
51
100
100
0.5
m
m
nA
nA
mA
I
GSS
I
DSS
Gate source leakage current V
GS
=
±
20 V; V
DS
= 0 V
Zero gate voltage drain
current
V
DS
= 20 V; V
GS
= 0 V;
T
j
= 150C
Q
g(tot)
Total gate charge
I
D
= 1 A; V
DD
= 20 V; V
GS
= 10 V
spindle FET
isolation FET
spindle FET
isolation FET
spindle FET
isolation FET
-
-
-
-
-
-
5.4
17.6
0.4
1.4
1.6
5.7
-
-
-
-
-
-
nC
nC
nC
nC
nC
nC
Q
gs
Gate-source charge
Q
gd
Gate-drain (Miller) charge
t
on
Turn-on time
V
= 20 V; I
D
= 1 A; V
GS
= 10 V; R
G
= 6
;
resistive load
spindle FET
isolation FET
spindle FET
isolation FET
-
-
-
-
5.5
11
16
45
10
20
25
60
ns
ns
ns
ns
t
off
Turn-off time
C
iss
Input capacitance
V
GS
= 0 V; V
DS
= 20 V; f = 1 MHz
spindle FET
isolation FET
spindle FET
isolation FET
spindle FET
isolation FET
-
-
-
-
-
-
180
546
70
311
36
133
-
-
-
-
-
-
pF
pF
pF
pF
pF
pF
C
oss
Output capacitance
C
rss
Feedback capacitance
May 1999
3
Rev 1.000
相關(guān)PDF資料
PDF描述
PHP101NQ03LT TrenchMOS logic level FET
PHU101NQ03LT TrenchMOS logic level FET
PHP109 P-channel enhancement mode MOS transistor(P溝道增強型MOS晶體管)
PHP11N06LT N-channel TrenchMOS transistor Logic level FET(N溝道TrenchMOS 晶體管邏輯電平場效應(yīng)管)
PHD11N06LT N-channel TrenchMOS transistor Logic level FET(N溝道TrenchMOS 晶體管邏輯電平場效應(yīng)管)
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
PHN708 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:7 N-channel 80 mohm FET array enhancement mode MOS transistors
PHNR-05-H 制造商:JST Manufacturing 功能描述:5 Position 2.0mm Pitch Crimp Style Connector (Housing)
PHNTRAYH 功能描述:PHOTON WITH HEADERS IN TRAYS 制造商:particle industries, inc. 系列:WICED 零件狀態(tài):在售 類型:收發(fā)器；802.11 b/g/n（Wi-Fi，WiFi，WLAN） 頻率:2.4GHz 配套使用產(chǎn)品/相關(guān)產(chǎn)品:BCM43362，STM32F205 所含物品:板 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1
PHNTRAYNOH 功能描述:PHOTON WITHOUT HEADERS IN TRAYS 制造商:particle industries, inc. 系列:WICED 零件狀態(tài):在售 類型:收發(fā)器；802.11 b/g/n（Wi-Fi，WiFi，WLAN） 頻率:2.4GHz 配套使用產(chǎn)品/相關(guān)產(chǎn)品:BCM43362，STM32F205 所含物品:板 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1
PH-OB 功能描述:烙鐵 Preheater On/Off Switch RoHS:否 制造商:Weller 產(chǎn)品:Soldering Stations 類型:Digital, Iron, Stand, Cleaner 瓦特:50 W 最大溫度:+ 850 F 電纜類型:US Cord Included
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