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參數(shù)資料
| 型號： | PHN1013 |
| 廠商： | NXP SEMICONDUCTORS |
| 元件分類： | JFETs |
| 英文描述： | N-channel enhancement mode MOS transistor |
| 中文描述： | 10 A, 30 V, 0.0135 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, MS-012AA |
| 封裝： | PLASTIC, SO-8 |
| 文件頁數(shù)： | 4/8頁 |
| 文件大?。?/td> | 60K |
| 代理商： | PHN1013 |
1997 Jun 20
4
Philips Semiconductors
Objective specification
N-channel enhancement mode
MOS transistor
PHN1013
REVERSE DIODE LIMITING VALUES AND CHARACTERISTICS
T
j
= 25
°
C unless otherwise specified.
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
TYP.
0.95
1
50
MAX.
UNIT
I
DR
I
DRM
V
SD
continuous reverse drain current
pulsed reverse drain current
source-drain diode forward voltage
T
amb
= 25
°
C; t
p
≤
10 s
10
50
1.2
A
A
V
V
ns
I
F
= 10 A; V
GS
= 0
I
F
= 50 A; V
GS
= 0
I
F
= 10 A; di/dt =
100 A/
μ
s;
V
GS
=
10 V; V
R
= 25 V
I
F
= 10 A; di/dt =
100 A/
μ
s;
V
GS
=
10 V; V
R
= 25 V
t
rr
reverse recovery time
Q
rr
reverse recovery charge
0.1
μ
C
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| PHN1015 | N-channel TrenchMOS transistor Logic level |
| PHN1018 | KPT00E14-5PF42 |
| PHN103 | N-channel enhancement mode MOS transistor |
| PHN110 | N-channel enhancement mode MOS transistor |
| PHN205 | Dual N-channel enhancement mode MOS transistor |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| PHN1013T/R | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 30V V(BR)DSS | 10A I(D) | SO |
| PHN1015 | 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:N-channel TrenchMOS transistor Logic level |
| PHN1018 | 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:MOSFET N SO-8 |
| PHN1018/T3 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR MOSFET SOT-96 |
| PHN103 | 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:N-channel enhancement mode MOS transistor |
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