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參數(shù)資料
| 型號： | PHN1013 |
| 廠商： | NXP SEMICONDUCTORS |
| 元件分類： | JFETs |
| 英文描述： | N-channel enhancement mode MOS transistor |
| 中文描述： | 10 A, 30 V, 0.0135 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, MS-012AA |
| 封裝： | PLASTIC, SO-8 |
| 文件頁數(shù)： | 2/8頁 |
| 文件大小： | 60K |
| 代理商： | PHN1013 |
1997 Jun 20
2
Philips Semiconductors
Objective specification
N-channel enhancement mode
MOS transistor
PHN1013
FEATURES
Very low on-state resistance.
APPLICATIONS
DC to DC converters
General purpose switching applications.
DESCRIPTION
N-channel enhancement mode logic level field-effect
power transistor using ‘trench’ technology, in an 8-pin
plastic SOT96-1 (SO8) package.
PINNING - SOT96-1 (SO8)
PIN
SYMBOL
DESCRIPTION
1
2
3
4
5
6
7
8
s
s
s
g
d
d
d
d
source
source
source
gate
drain
drain
drain
drain
Fig.1 Simplified outline and symbol.
handbook, halfpage
4
5
1
Top view
MAM358
s
d
g
QUICK REFERENCE DATA
LIMITING VALUES
In accordance with the Absolute Maximum Rating System (IEC 134).
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
MAX.
UNIT
V
DS
I
D
P
tot
R
DSon
T
j
drain-source voltage
drain current (DC)
total power dissipation
drain-source on-state resistance
junction temperature
30
10
2.5
13.5
150
V
A
W
m
°
C
V
GS
= 10 V
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
MIN.
MAX.
UNIT
V
DS
V
DG
V
GS
I
D
drain-source voltage
drain-gate voltage
gate-source voltage
drain current (DC)
55
55
30
30
±
20
10
8
50
2.5
1.6
+150
+150
V
V
V
A
A
A
W
W
°
C
°
C
R
GS
= 20 k
T
amb
= 25
°
C; t
p
≤
10 s
T
amb
= 70
°
C; t
p
≤
10 s
T
amb
= 25
°
C
T
amb
= 25
°
C
T
amb
= 70
°
C
I
DM
P
tot
peak drain current
total power dissipation
T
stg
T
j
storage temperature
operating junction temperature
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| PHN1015 | N-channel TrenchMOS transistor Logic level |
| PHN1018 | KPT00E14-5PF42 |
| PHN103 | N-channel enhancement mode MOS transistor |
| PHN110 | N-channel enhancement mode MOS transistor |
| PHN205 | Dual N-channel enhancement mode MOS transistor |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| PHN1013T/R | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 30V V(BR)DSS | 10A I(D) | SO |
| PHN1015 | 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:N-channel TrenchMOS transistor Logic level |
| PHN1018 | 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:MOSFET N SO-8 |
| PHN1018/T3 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR MOSFET SOT-96 |
| PHN103 | 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:N-channel enhancement mode MOS transistor |
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