參數(shù)資料
型號(hào)： PHD82NQ03LT
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類(lèi)： JFETs
英文描述： TrenchMOS⑩ logic level FET
中文描述： 75 A, 30 V, 0.01 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252AA
封裝： PLASTIC, TO-252, SC-63, DPAK-3
文件頁(yè)數(shù)： 8/14頁(yè)
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代理商： PHD82NQ03LT
Philips Semiconductors
PHP/PHB/PHD82NQ03LT
TrenchMOS logic level FET
Product data
Rev. 01 — 28 March 2002
8 of 14
9397 750 09308
Koninklijke Philips Electronics N.V. 2002. All rights reserved.
T
j
= 25
°
C and 175
°
C; V
GS
= 0 V
Fig 12. Source (diode forward) current as a function of
source-drain (diode forward) voltage; typical
values.
I
D
= 50 A; V
DD
= 15 V
Fig 13. Gate-source voltage as a function of gate
charge; typical values.
03ai59
0
20
40
60
80
0
0.4
0.8
1.2
V
SD
(V)
I
S
(A)
T
j
= 25 oC
175 oC
V
GS
= 0 V
03ai61
0
2
4
6
8
10
0
10
20
30
40
Q
G
(nC)
V
GS
(V)
I
D
= 50 A
T
j
= 25 oC
V
DD
= 15 V
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PDF描述
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參數(shù)描述
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PHD82NQ03LT,118 功能描述:MOSFET TAPE13 PWR-MOS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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