參數(shù)資料
型號(hào)： PHD82NQ03LT
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類： JFETs
英文描述： TrenchMOS⑩ logic level FET
中文描述： 75 A, 30 V, 0.01 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252AA
封裝： PLASTIC, TO-252, SC-63, DPAK-3
文件頁(yè)數(shù)： 10/14頁(yè)
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代理商： PHD82NQ03LT
Philips Semiconductors
PHP/PHB/PHD82NQ03LT
TrenchMOS logic level FET
Product data
Rev. 01 — 28 March 2002
10 of 14
9397 750 09308
Koninklijke Philips Electronics N.V. 2002. All rights reserved.
Fig 15. SOT404 (D
2-
PAK)
UNIT
A
REFERENCES
OUTLINE
VERSION
EUROPEAN
PROJECTION
ISSUE DATE
IEC
JEDEC
EIAJ
mm
A1
D1
D
max.
E
e
Lp
HD
Q
c
2.54
2.60
2.20
15.80
14.80
2.90
2.10
11
1.60
1.20
10.30
9.70
4.50
4.10
1.40
1.27
0.85
0.60
0.64
0.46
b
DIMENSIONS (mm are the original dimensions)
SOT404
0
2.5
5 mm
scale
Plastic single-ended surface mounted package (Philips version of D
2
-PAK); 3 leads
(one lead cropped)
SOT404
e
e
E
b
D1
HD
D
Q
Lp
c
A1
A
1
3
2
mounting
base
99-06-25
01-02-12
相關(guān)PDF資料
PDF描述
PHP8N20E PowerMOS transistor
PHP95N03LT N-channel TrenchMOS transistor
PHB95N03LT N-channel TrenchMOS transistor
PHE95N03LT N-channel TrenchMOS transistor
PHP96NQ03LT Turret Lug, for 2.4mm panel thickness
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
PHD82NQ03LT /T3 功能描述:兩極晶體管 - BJT TAPE13 PWR-MOS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
PHD82NQ03LT,118 功能描述:MOSFET TAPE13 PWR-MOS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
PHD82NQ03LT 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:MOSFET N 30V D-PAK
PHD83N03LT 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:N-channel enhancement mode field-effect transistor
PHD87N03LT 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:N-channel TrenchMOS transistor Logic level FET
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