參數(shù)資料
型號(hào)： PHD82NQ03LT
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類(lèi)： JFETs
英文描述： TrenchMOS⑩ logic level FET
中文描述： 75 A, 30 V, 0.01 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252AA
封裝： PLASTIC, TO-252, SC-63, DPAK-3
文件頁(yè)數(shù)： 4/14頁(yè)
文件大?。?/td> 274K
代理商： PHD82NQ03LT
Philips Semiconductors
PHP/PHB/PHD82NQ03LT
TrenchMOS logic level FET
Product data
Rev. 01 — 28 March 2002
4 of 14
9397 750 09308
Koninklijke Philips Electronics N.V. 2002. All rights reserved.
4.
Thermal characteristics
4.1 Transient thermal impedance
Table 3:
Symbol Parameter
R
th(j-mb)
thermal resistance from junction to mounting base
Figure 4
R
th(j-a)
thermal resistance from junction to ambient
Thermal characteristics
Conditions
Min Typ Max Unit
-
-
-
60
-
75
1.1
-
-
K/W
K/W
K/W
SOT78 package; vertical in still air
SOT428 package;
SOT428 minimum footprint;
mounted on a PCB
SOT404 and SOT428 packages;
SOT404 minimum footprint;
mounted on a PCB
-
50
-
K/W
Fig 4.
Transient thermal impedance from junction to mounting base as a function of pulse duration.
03ai54
10-3
10-2
10-1
1
10
10-5
10-4
10-3
10-2
10-1
1
10
t
p
(s)
Z
th(j-mb)
(K/W)
single pulse
δ
= 0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
tp
tp
T
T
P
t
δ
=
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