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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | PHD66NQ03LT |
| 廠商： | NXP SEMICONDUCTORS |
| 元件分類： | JFETs |
| 英文描述： | Turret Lug, for 3.2mm panel thickness |
| 中文描述： | 66 A, 25 V, 0.0136 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252AA |
| 封裝： | PLASTIC, SC-63, TO-252, DPAK-3 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 14/14頁(yè) |
| 文件大小： | 301K |
| 代理商： | PHD66NQ03LT |
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Koninklijke Philips Electronics N.V. 2001.
Printed in The Netherlands
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Date of release: 10 December 2001
Document order number: 9397 750 09119
Contents
Philips Semiconductors
PHP/PHB/PHD66NQ03LT
N-channel TrenchMOS transistor
1
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3
4
5
6
7
7.1
8
9
10
11
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Description. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1
Features . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1
Applications . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1
Pinning information. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1
Quick reference data . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 2
Limiting values. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 2
Thermal characteristics. . . . . . . . . . . . . . . . . . . 4
Transient thermal impedance . . . . . . . . . . . . . . 4
Characteristics. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 5
Package outline . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 9
Revision history. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 12
Data sheet status. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 13
Definitions . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 13
Disclaimers. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 13
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| PHP78NQ03LT | N-channel TrenchMOSTM logic level FET |
| PHU78NQ03LT | N-channel TrenchMOSTM logic level FET |
| PHP82NQ03LT | TrenchMOS⑩ logic level FET |
| PHB82NQ03LT | TrenchMOS⑩ logic level FET |
| PHD82NQ03LT | TrenchMOS⑩ logic level FET |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| PHD66NQ03LT /T3 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT TAPE13 MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| PHD66NQ03LT,118 | 功能描述:MOSFET TAPE13 MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| PHD69N03LT | 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:N-channel TrenchMOS transistor Logic level FET |
| PHD6N10E | 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:PowerMOS transistor |
| PH-D7000H | 制造商:Alpha 3 Manufacturing 功能描述: |
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