參數(shù)資料
型號(hào)： PHD66NQ03LT
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類： JFETs
英文描述： Turret Lug, for 3.2mm panel thickness
中文描述： 66 A, 25 V, 0.0136 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252AA
封裝： PLASTIC, SC-63, TO-252, DPAK-3
文件頁(yè)數(shù)： 12/14頁(yè)
文件大?。?/td> 301K
代理商： PHD66NQ03LT
Philips Semiconductors
PHP/PHB/PHD66NQ03LT
N-channel TrenchMOS transistor
Product data
Rev. 02 — 10 December 2001
12 of 14
9397 750 09119
Koninklijke Philips Electronics N.V. 2001. All rights reserved.
10. Revision history
Table 6:
Rev Date
02
Revision history
CPCN
20011210
Description
Includes product data; second version; supersedes initial version 29 August 2001.
Section 1 “Description”
Correction to typing mistake in name.
Product data; initial version
-
01
20010829
-
相關(guān)PDF資料
PDF描述
PHP78NQ03LT N-channel TrenchMOSTM logic level FET
PHU78NQ03LT N-channel TrenchMOSTM logic level FET
PHP82NQ03LT TrenchMOS⑩ logic level FET
PHB82NQ03LT TrenchMOS⑩ logic level FET
PHD82NQ03LT TrenchMOS⑩ logic level FET
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
PHD66NQ03LT /T3 功能描述:兩極晶體管 - BJT TAPE13 MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
PHD66NQ03LT,118 功能描述:MOSFET TAPE13 MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
PHD69N03LT 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:N-channel TrenchMOS transistor Logic level FET
PHD6N10E 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:PowerMOS transistor
PH-D7000H 制造商:Alpha 3 Manufacturing 功能描述:
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