參數(shù)資料
型號： PHD27NQ10T
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類： JFETs
英文描述： N-channel TrenchMOS transistor
中文描述： 28 A, 100 V, 0.05 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
文件頁數(shù)： 3/12頁
文件大?。?/td> 115K
代理商： PHD27NQ10T
Philips Semiconductors
Product specification
N-channel TrenchMOS
transistor
PHP27NQ10T, PHB27NQ10T
PHD27NQ10T
REVERSE DIODE LIMITING VALUES AND CHARACTERISTICS
T
j
= 25C unless otherwise specified
SYMBOL PARAMETER
I
S
Continuous source current
(body diode)
I
SM
Pulsed source current (body
diode)
V
SD
Diode forward voltage
t
rr
Reverse recovery time
Q
rr
Reverse recovery charge
CONDITIONS
MIN.
-
TYP. MAX. UNIT
-
28
A
-
-
112
A
I
F
= 14 A; V
GS
= 0 V
I
F
= 14 A; -dI
F
/dt = 100 A/
μ
s;
V
GS
= 0 V; V
R
= 25 V
-
-
-
0.9
60
160
1.2
-
-
V
ns
nC
August 1999
3
Rev 1.000
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PDF描述
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