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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | PHB82NQ03LT |
| 廠商： | NXP SEMICONDUCTORS |
| 元件分類： | JFETs |
| 英文描述： | TrenchMOS⑩ logic level FET |
| 中文描述： | 75 A, 30 V, 0.01 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| 封裝： | PLASTIC, D2PAK-3 |
| 文件頁數(shù)： | 3/14頁 |
| 文件大小： | 274K |
| 代理商： | PHB82NQ03LT |
Philips Semiconductors
PHP/PHB/PHD82NQ03LT
TrenchMOS logic level FET
Product data
Rev. 01 — 28 March 2002
3 of 14
9397 750 09308
Koninklijke Philips Electronics N.V. 2002. All rights reserved.
Fig 1.
Normalized total power dissipation as a
function of mounting base temperature.
Fig 2.
Normalized continuous drain current as a
function of mounting base temperature.
T
mb
= 25
°
C; I
DM
is single pulse; V
GS
= 10V.
Fig 3.
Safe operating area; continuous and peak drain currents as a function of drain-source voltage.
03aa16
0
40
80
120
0
50
100
150
200
T
mb
(
o
C)
(%)
Pder
03ai53
0
40
80
120
0
50
100
150
200
T
mb
(oC)
I
der
(%)
P
der
P
P
tot 25 C
°
)
-----------------------
100
%
×
=
I
der
I
I
D 25 C
)
-------------------
100
%
×
=
03ai55
1
10
102
103
1
10
102
V
DS
(V)
I
D
(A)
DC
10 ms
R
DSon
= V
DS
/ I
D
1 ms
t
p
= 10 μs
100 μs
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| PHD82NQ03LT | TrenchMOS⑩ logic level FET |
| PHP8N20E | PowerMOS transistor |
| PHP95N03LT | N-channel TrenchMOS transistor |
| PHB95N03LT | N-channel TrenchMOS transistor |
| PHE95N03LT | N-channel TrenchMOS transistor |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| PHB83N03LT | 制造商:PHILLIPS COMPONENTS 功能描述: |
| PHB87N03LT | 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:N-channel TrenchMOS transistor Logic level FET |
| PHB87N03LTT/R | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 30V V(BR)DSS | 75A I(D) | SOT-404 |
| PHB87N03T | 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:TrenchMOS transistor Standard level FET |
| PHB87N03TT/R | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 30V V(BR)DSS | 75A I(D) | SOT-404 |
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