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參數(shù)資料
| 型號： | PHB45N03LT |
| 廠商： | NXP SEMICONDUCTORS |
| 元件分類： | JFETs |
| 英文描述： | TrenchMOS transistor Logic level FET |
| 中文描述： | 45 A, 25 V, 0.024 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| 封裝： | PLASTIC, D2PAK-3 |
| 文件頁數(shù)： | 6/8頁 |
| 文件大?。?/td> | 61K |
| 代理商： | PHB45N03LT |
Philips Semiconductors
Product specification
TrenchMOS
transistor
Logic level FET
PHB45N03LT
Fig.13. Typical turn-on gate-charge characteristics.
V
GS
= f(Q
G
); conditions: I
D
= 40 A; parameter V
DS
Fig.14. Typical reverse diode current.
I
F
= f(V
SDS
); conditions: V
GS
= 0 V; parameter T
j
Fig.15. Normalised avalanche energy rating.
W
DSS
% = f(T
mb
); conditions: I
D
= 25 A
Fig.16. Avalanche energy test circuit.
W
DSS
=
0.5
LI
D
Fig.17. Switching test circuit.
0
5
10
15
20
25
0
1
2
3
4
5
9528-30
QG / nC
VGS / V
VDS / V = 6
24
20
40
60
80
100
Tmb / C
120
140
160
180
120
110
100
90
80
70
60
50
40
30
20
10
0
WDSS%
0
0.5
1
1.5
2
0
10
20
30
40
50
60
9528-30
VSDS / V
IF / A
Tj / C = 175
25
L
T.U.T.
VDD
RGS
R 01
shunt
VDS
-ID/100
+
-
VGS
0
2
BV
DSS
/(
BV
DSS
V
DD
)
RD
T.U.T.
VDD
RG
VDS
+
-
VGS
0
December 1997
6
Rev 1.300
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| PHB45N03LTA | N-channel enhancement mode field-effect transistor |
| PHB60N06T | TrenchMOS transistor Standard level FET |
| PHB63NQ03LT | TrenchMOS logic level FET |
| PHD63NQ03LT | TrenchMOS logic level FET |
| PHP63NQ03LT | TrenchMOS logic level FET |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| PHB45N03LTA | 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:40 A, 25 V, 0.024 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| PHB45N03LTA,118 | 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:PHB45N03LTA/SOT404/REEL13// - Tape and Reel |
| PHB45N03LTT/R | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 30V V(BR)DSS | 45A I(D) | SOT-404 |
| PHB45N03T | 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:TrenchMOS transistor Standard level FET |
| PHB45N03TT/R | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 30V V(BR)DSS | 45A I(D) | SOT-404 |
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