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參數(shù)資料
| 型號： | PHB23NQ15T |
| 廠商： | NXP SEMICONDUCTORS |
| 元件分類： | JFETs |
| 英文描述： | N-channel TrenchMOS transistor |
| 中文描述： | 23 A, 150 V, 0.09 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| 文件頁數(shù)： | 6/9頁 |
| 文件大小： | 99K |
| 代理商： | PHB23NQ15T |
Philips Semiconductors
Product specification
N-channel TrenchMOS
transistor
PHP23NQ15T, PHB23NQ15T
Fig.13. Typical turn-on gate-charge characteristics.
V
GS
= f(Q
G
)
Fig.14. Typical reverse diode current.
I
F
= f(V
SDS
); conditions: V
GS
= 0 V; parameter T
j
Fig.15. Maximum permissible non-repetitive
avalanche current (I
) versus avalanche time (t
AV
);
unclamped inductive load
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
0
5
10
15
20
25
30
35
40
45
50
55
60
Gate charge, QG (nC)
Gate-source voltage, VGS (V)
ID = 23A
Tj = 25 C
VDD = 30 V
VDD = 120 V
0.1
1
10
100
0.001
0.01
0.1
1
10
Avalanche time, t
AV
(ms)
Maximum Avalanche Current, I
AS
(A)
Tj prior to avalanche = 150 C
25 C
0
5
10
15
20
25
30
0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1
1.1
1.2
Source-Drain Voltage, VSDS (V)
Source-Drain Diode Current, IF (A)
Tj = 25 C
175 C
VGS = 0 V
August 1999
6
Rev 1.000
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| PHP24N03T | TrenchMOS transistor Standard level FET |
| PHP26N10E | PowerMOS transistor |
| PHP27NQ10T | N-channel TrenchMOS transistor |
| PHD27NQ10T | N-channel TrenchMOS transistor |
| PHP2N40E | PowerMOS transistor |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| PHB24 | 制造商:Power-One 功能描述: |
| PHB24N03LT | 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:TrenchMOS transistor Logic level FET |
| PHB24N03LTT/R | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 30V V(BR)DSS | 24A I(D) | SOT-404 |
| PHB24N03T | 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:TrenchMOS transistor Standard level FET |
| PHB24N03TT/R | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 30V V(BR)DSS | 24A I(D) | SOT-404 |
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