參數(shù)資料
型號： PHB18NQ20T
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類： JFETs
英文描述： N-channel TrenchMOS transistor(N溝道TrenchMOS 晶體管邏輯電平場效應(yīng)管)
中文描述： 16 A, 200 V, 0.18 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
文件頁數(shù)： 3/9頁
文件大?。?/td> 96K
代理商： PHB18NQ20T
Philips Semiconductors
Product specification
N-channel TrenchMOS
transistor
PHP18NQ20T, PHB18NQ20T
REVERSE DIODE LIMITING VALUES AND CHARACTERISTICS
T
j
= 25C unless otherwise specified
SYMBOL PARAMETER
I
S
Continuous source current
(body diode)
I
SM
Pulsed source current (body
diode)
V
SD
Diode forward voltage
t
rr
Reverse recovery time
Q
rr
Reverse recovery charge
CONDITIONS
MIN.
-
TYP. MAX. UNIT
-
16
A
-
-
64
A
I
F
= 16 A; V
GS
= 0 V
I
F
= 16 A; -dI
F
/dt = 100 A/
μ
s;
V
GS
= 0 V; V
R
= 25 V
-
-
-
0.9
130
0.8
1.2
-
-
V
ns
μ
C
August 1999
3
Rev 1.000
相關(guān)PDF資料
PDF描述
PHP18NQ20T N-channel TrenchMOS transistor
PHB193NQ06T N-channel TrenchMOS standard level FET
PHP193NQ06T N-channel TrenchMOS standard level FET
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參數(shù)描述
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