參數(shù)資料
型號： PHB100N03LT
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類： JFETs
英文描述： N-channel enhancement mode field-effect transistor
中文描述： 75 A, 25 V, 0.0075 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
封裝： PLASTIC, D2PAK-3
文件頁數(shù)： 4/13頁
文件大?。?/td> 331K
代理商： PHB100N03LT
Philips Semiconductors
PHB100N03LT
N-channel enhancement mode field-effect transistor
Product specification
Rev. 01 — 07 September 2000
4 of 13
9397 750 07309
Philips Electronics N.V. 2000. All rights reserved.
7.
Thermal characteristics
7.1 Transient thermal impedance
Table 4:
Symbol
R
th(j-mb)
Thermal characteristics
Parameter
thermal resistance from junction to mounting
base
thermal resistance from junction to ambient
Conditions
Figure 5
Value
1.2
Unit
K/W
R
th(j-a)
mounted on a printed circuit board;
minimum footprint
50
K/W
Fig 5.
Transient thermal impedance from junction to mounting base as a function of
pulse duration.
03ab19
10-3
10-2
10-1
1
10
10-6
10-5
10-4
10-3
10-2
10-1
1
tp (s)
Zth(j-mb)
K/W
single pulse
δ
= 0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
tp
tp
T
T
P
t
δ
=
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