參數(shù)資料
型號(hào)： PH6325L
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類： JFETs
英文描述： N-channel TrenchMOS logic level FET
中文描述： 78.7 A, 25 V, 0.0095 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, MO-235
封裝： PLASTIC, LFPAK-5
文件頁(yè)數(shù)： 3/13頁(yè)
文件大?。?/td> 138K
代理商： PH6325L
Philips Semiconductors
PH6325L
N-channel TrenchMOS logic level FET
Preliminary data
Rev. 01 — 28 April 2004
3 of 13
9397 750 12307
Koninklijke Philips Electronics N.V. 2004. All rights reserved.
Fig 1.
Normalized total power dissipation as a
function of mounting base temperature.
Fig 2.
Normalized continuous drain current as a
function of mounting base temperature.
T
mb
= 25
°
C; I
DM
is single pulse; V
GS
= 10 V
Fig 3.
Safe operating area; continuous and peak drain currents as a function of drain-source voltage.
03aa15
0
40
80
120
0
50
100
150
200
Tmb (
°
C)
Pder
(%)
03aa23
0
40
80
120
0
50
100
150
200
Tmb (
°
C)
Ider
(%)
P
der
P
tot 25 C
)
-----------------------
100
%
×
=
I
der
I
D 25 C
°
)
-------------------
100
%
×
=
003aaa559
1
10
102
103
10-1
1
10
102
VDS (V)
ID
(A)
DC
100 ms
10 ms
1 ms
Limit RDSon = VDS / ID
tp = 10
μ
s
100
μ
s
相關(guān)PDF資料
PDF描述
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參數(shù)描述
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