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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | PG-FP4 |
| 英文描述： | PG-FP4 Flash Memory Programmer | User＇s Manual[03/2003] |
| 中文描述： | 指引FP4閃存編程|用戶手冊(cè)[03/2003] |
| 文件頁數(shù)： | 67/117頁 |
| 文件大?。?/td> | 1599K |
| 代理商： | PG-FP4 |
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CHAPTER 4 PG-FP4 OPERATION USING GUI SOFTWARE
User
’
s Manual U15260EJ3V1UM
67
<2> Command options
This dialog box is used to specify the options of the PG-FP4 flash processing commands.
Figure 4-28. Setup Window – Command Options
[Blank check before Erase check box]
If this check box is checked, a blank check is performed before execution of the Erase and EPV commands.
If the result of the blank check is OK, erase processing is not executed.
This option can be specified only when a single-power-supply flash memory microcontroller is used.
[Read verify after Program check box]
If this check box is checked, write data is transmitted from the programmer after execution of the Program
and EPV commands, and verified against the data written to the flash memory.
[Security flag after Program check box]
If this check box is checked, automatic programming of the selected security flag is executed after execution
of the Program and EPV commands.
This option can be specified only when a single-power-supply flash memory microcontroller is used.
[Checksum after Program check box]
If this check box is checked, the flash memory checksum value of the target device is read from the target
device and displayed on the programmer after execution of the Program and EPV commands.
This option can be specified only when a single-power-supply flash memory microcontroller or a two-power-
supply flash memory microcontroller that supports the Checksum command is used.
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| PG1001 | TRANSISTOR | BJT | NPN | 60V V(BR)CEO | 2A I(C) | TO-46 |
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| PG1003 | TRANSISTOR | BJT | NPN | 100V V(BR)CEO | 2A I(C) | TO-46 |
| PG1004 | TRANSISTOR | BJT | NPN | 140V V(BR)CEO | 2A I(C) | TO-46 |
| PG1005 | TRANSISTOR | BJT | NPN | 160V V(BR)CEO | 2A I(C) | TO-46 |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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