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參數(shù)資料
| 型號： | PF08109B |
| 廠商： | Renesas Technology Corp. |
| 英文描述： | MOS FET Power Amplifier Module for E-GSM and DCS1800 Dual Band Handy Phone |
| 中文描述： | 場效應(yīng)晶體管功率放大器模塊，電子GSM和DCS1800和雙頻手持電話 |
| 文件頁數(shù)： | 24/25頁 |
| 文件大?。?/td> | 249K |
| 代理商： | PF08109B |
PF08109B
Rev.3, Feb. 2001, page 22 of 23
Package Dimensions
(Upper side)
(Bottom side)
Hitachi Code
JEDEC
JEITA
Mass
(reference value)
RF-O-12
Unit: mm
1.8
±
0.2
1
±
(
1
±
13.75
±
0.3
13.75
±
0.3
(3.3)
1
±
(3.3)
(0.8)
(0.8)
(0.8)
(
(
(
(
(
(
(
(2.5) (2.5)
G
G
2
7
1
3
12
4
11
G
G
5
10
6
9
8
1
2
3
4
G
8
910G1112
1:
2:
3:
4:
5:
6:
7:
8:
9:
10:
11:
12:
G:
7
5
6
G
G
Remark:
Coplanarity of bottom side of terminals
are less than 0
±
0.1mm.
(1.4)
(1.4)
(1.0)
(3.4)
(1.0)
(
(
(
(
(
(3.7)
(1.1)
(1.2)
(3.7)
(1.45)
(1.4)
(1.0)
(1.4)
(1.4)
(1.2)
N/C
N/C
Pout
DCS
Vdd
DCS
Vdd
GSM
Pout
GSM
N/C
Vtxlo
Pin
GSM
Vapc
GSM
Vapc
DCS
Pin
DCS
GND
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| PF08127B | MOS FET Power Amplifier Module for E-GSM and DCS1800/1900 Triple Band Handy Phone |
| PF08134B | MOS FET Power Amplifier Module for GSM850 and DCS1800/1900 Triple Band Handy Phone |
| PF0 | General Purpose Fast Rectifier |
| PF1002 | Nanopower Precision Shunt Voltage Reference; Package: SO; No of Pins: 8; Temperature Range: 0°C to +70°C |
| PF1003 | Nanopower Precision Shunt Voltage Reference; Package: SO; No of Pins: 8; Temperature Range: 0°C to +70°C |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| PF08109B-TB | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:Microwave/Millimeter Wave Amplifier |
| PF08114B | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述: |
| PF08122B | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述: |
| PF08123B | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述: |
| PF08127B | 制造商:RENESAS 制造商全稱:Renesas Technology Corp 功能描述:MOS FET Power Amplifier Module for E-GSM and DCS1800/1900 Triple Band Handy Phone |
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