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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | PF08109B |
| 廠商： | Renesas Technology Corp. |
| 英文描述： | MOS FET Power Amplifier Module for E-GSM and DCS1800 Dual Band Handy Phone |
| 中文描述： | 場(chǎng)效應(yīng)晶體管功率放大器模塊，電子GSM和DCS1800和雙頻手持電話 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 11/25頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 249K |
| 代理商： | PF08109B |
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PF08109B
Rev.3, Feb. 2001, page 9 of 23
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0
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2
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Pin (dBm)
20
25
30
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50
35
45
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35
45
55
60
E
High mode
Pout = 35.5 dBm,
Vdd = 3.5 V,
Vapc = control,
Vtxlo = 0.1 V,
Tc = 25
°
C,
Rg = Rl = 50
f = 880 MHz
f = 915 MHz
f = 880 MHz
f = 915 MHz
6
4
0
2
2
4
6
Pin (dBm)
E
High mode
Pout = 34.8 dBm,
Vdd = 3.5 V,
Vapc = control,
Vtxlo = 0.1 V,
Tc = 25
°
C,
Rg = Rl = 50
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| PF08127B | MOS FET Power Amplifier Module for E-GSM and DCS1800/1900 Triple Band Handy Phone |
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| PF0 | General Purpose Fast Rectifier |
| PF1002 | Nanopower Precision Shunt Voltage Reference; Package: SO; No of Pins: 8; Temperature Range: 0°C to +70°C |
| PF1003 | Nanopower Precision Shunt Voltage Reference; Package: SO; No of Pins: 8; Temperature Range: 0°C to +70°C |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
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| PF08127B | 制造商:RENESAS 制造商全稱(chēng):Renesas Technology Corp 功能描述:MOS FET Power Amplifier Module for E-GSM and DCS1800/1900 Triple Band Handy Phone |
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