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參數(shù)資料
| 型號： | PF08109B |
| 廠商： | Renesas Technology Corp. |
| 英文描述： | MOS FET Power Amplifier Module for E-GSM and DCS1800 Dual Band Handy Phone |
| 中文描述： | 場效應(yīng)晶體管功率放大器模塊，電子GSM和DCS1800和雙頻手持電話 |
| 文件頁數(shù)： | 21/25頁 |
| 文件大?。?/td> | 249K |
| 代理商： | PF08109B |
PF08109B
Rev.3, Feb. 2001, page 19 of 23
3.0
3.4
3.2
3.6
4.2 4.4
3.8 4.0
4.6 4.8 5.0 5.2
Vdd (V)
20
25
35
30
45
40
50
E
GSM Hi mode
Pin = 0 dBm,
Po = 35.5 dBm,
Tc = 25
°
C,
Vtxlo = 0.1 V
f = 880 MHz
f = 915 MHz
3.0
3.4
3.2
3.6
4.2 4.4
3.8 4.0
4.6 4.8 5.0 5.2
Vdd (V)
10
15
25
20
35
30
40
E
GSM Lo mode
Pin = 0 dBm,
Po = 30.8 dBm,
Tc = 25
°
C,
Vtxlo = 2.4 V
f = 880 MHz
f = 915 MHz
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| PF08127B | MOS FET Power Amplifier Module for E-GSM and DCS1800/1900 Triple Band Handy Phone |
| PF08134B | MOS FET Power Amplifier Module for GSM850 and DCS1800/1900 Triple Band Handy Phone |
| PF0 | General Purpose Fast Rectifier |
| PF1002 | Nanopower Precision Shunt Voltage Reference; Package: SO; No of Pins: 8; Temperature Range: 0°C to +70°C |
| PF1003 | Nanopower Precision Shunt Voltage Reference; Package: SO; No of Pins: 8; Temperature Range: 0°C to +70°C |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| PF08109B-TB | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:Microwave/Millimeter Wave Amplifier |
| PF08114B | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述: |
| PF08122B | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述: |
| PF08123B | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述: |
| PF08127B | 制造商:RENESAS 制造商全稱:Renesas Technology Corp 功能描述:MOS FET Power Amplifier Module for E-GSM and DCS1800/1900 Triple Band Handy Phone |
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