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參數資料
| 型號： | PF08103B |
| 廠商： | Hitachi,Ltd. |
| 英文描述： | MOS FET Power Amplifier Module for E-GSM900 and DCS1800 Dual Band Handy Phone |
| 中文描述： | 場效應晶體管功率放大器模塊，電子GSM900和DCS1800和雙頻手持電話 |
| 文件頁數： | 3/7頁 |
| 文件大?。?/td> | 34K |
| 代理商： | PF08103B |
PF08103B
3
Absolute Maximum Ratings
(Tc = 25
°
C)
Item
Symbol
Rating
Unit
Supply voltage
V
DD
I
DD GSM
I
DD DCS
V
CTL
, V
CTL
Vapc
8.5
V
Supply current
3.5
A
2
A
V
CTL
, V
CTL
voltage
Vapc voltage
4
V
4
V
Input power
Pin
10
dBm
Operating case temperature
Tc (op)
30 to +100
30 to +100
°
C
°
C
Storage temperature
Tstg
Output power
Pout
GSM
Pout
DCS
5
W
3
W
Note:
The maximum ratings shall be valid over both the E-GSM-band (880-915 MHz), and the DCS-band
(1710-1785 MHz).
Electrical Characteristics for DC
(Tc = 25
°
C)
Item
Symbol
Min
Typ
Max
Unit
Test Condition
Drain cutoff current
Ids
20
μ
A
V
DD
= 4.7 V, Vapc = 0 V,
V
CTL
= 0 V, V
CTL
= 0 V
V
DD
= 4.7 V, Vapc = 0 V,
V
= 0 V, V
= 0 V,
Tc =
20 to +80
°
C
300
μ
A
Vapc control current
Iapc
3
mA
Vapc = 2.2 V
V
CTL
control current
V
CTL
control current
I
CTL
I
CTL
2
μ
A
μ
A
V
CTL
= 3 V
V
CTL
= 3 V
1
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| PF1010A | MOS FET Power Amplifier Module for P/C LAN |
| PF5000 | 50A 1/2 PRESS-FIT DIODE |
| PF5001 | 50A 1/2 PRESS-FIT DIODE |
| PFC-A1 | GENERAL PURPOSE RELAY |
| PFP-100N | GENERAL PURPOSE RELAY |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| PF08107B | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述: |
| PF08107BP | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述: |
| PF08109B | 制造商:RENESAS 制造商全稱:Renesas Technology Corp 功能描述:MOS FET Power Amplifier Module for E-GSM and DCS1800 Dual Band Handy Phone |
| PF08109B-TB | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:Microwave/Millimeter Wave Amplifier |
| PF08114B | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述: |
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