參數(shù)資料
型號: PF08103B
廠商: Hitachi,Ltd.
英文描述: MOS FET Power Amplifier Module for E-GSM900 and DCS1800 Dual Band Handy Phone
中文描述: 場效應(yīng)晶體管功率放大器模塊,電子GSM900和DCS1800和雙頻手持電話
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代理商: PF08103B
PF08103B
2
Internal Circuit Block Diagram
Vdd1
V
CTL
V
CTL
Vapc
Pin
Vdd2
Pout
DCS
Pout
GSM
Bias circuit
Band Select and Power Control
Operating Mode
V
CTL
H
V
CTL
L
Vapc
GSM Tx ON
Control
DCS Tx ON
L
H
Control
Tx OFF
L
L
< 0.2 V
Current of Control Pin
Control Pin
Equivalent Input Circuit
Control Current
V
CTL
2
μ
A Max
V
CTL
1
μ
A Max
Vapc
3 mA Max at 2.2 V
Note:
Control current is preliminary value.
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