參數(shù)資料
型號(hào)： PESDXV4UG
廠商： NXP Semiconductors N.V.
英文描述： C TAP
中文描述： 四非常低電容ESD保護(hù)二極管陣列，SOT353封裝
文件頁(yè)數(shù)： 5/11頁(yè)
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代理商： PESDXV4UG
9397 750 14479
Koninklijke Philips Electronics N.V. 2005. All rights reserved.
Product data sheet
Rev. 02 — 7 April 2005
5 of 11
Philips Semiconductors
PESDxV4UG series
Very low capacitance quadruple ESD protection diode arrays
T
amb
= 25
°
C
Peak pulse power dissipation as a function of
exponential pulse duration t
p
; typical values
T
amb
= 25
°
C
Relative variation of peak pulse power as a
function of junction temperature; typical values
Fig 3.
Fig 4.
f = 1 MHz; T
amb
= 25
°
C
(1) PESD3V3V4UG
(2) PESD5V0V4UG
PESD3V3V4UG
PESD5V0V4UG
Fig 5.
Diode capacitance as a function of reverse
voltage; typical values
Fig 6.
Relative variation of reverse leakage current as
a function of junction temperature; typical
values
006aaa261
t
p
(
μ
s)
1
10
4
10
3
10
10
2
10
10
2
P
PP
(W)
1
T
j
(
°
C)
0
200
150
50
100
001aaa633
0.4
0.8
1.2
P
PP
0
P
PP(25
°
C)
V
R
(V)
0
5
4
2
3
1
006aaa262
10
12
8
14
16
C
d
(pF)
6
(1)
(2)
006aaa263
T
j
(
°
C)
100
150
100
0
50
50
1
10
I
RM
at T
I
RM
at 25
°
C
10
1
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PDF描述
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