參數(shù)資料
型號(hào)： PDTB114ET
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類： 小信號(hào)晶體管
英文描述： PNP resistor-equipped transistor
中文描述： 500 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封裝： SOT-23, 3 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 4/8頁(yè)
文件大?。?/td> 50K
代理商： PDTB114ET
1997 Sep 02
4
Philips Semiconductors
Objective specification
PNP resistor-equipped transistor
PDTB114ET
CHARACTERISTICS
T
j
= 25
°
C unless otherwise specified.
Note
1.
Pulse test: t
p
≤
300
μ
s;
δ ≤
0.02.
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
MIN.
56
3
7
TYP.
10
MAX.
100
1
50
500
300
500
13
UNIT
I
CBO
I
CEO
collector cut-off current
collector cut-off current
I
E
= 0; V
CB
=
50 V
I
B
= 0; V
CE
=
30 V
I
B
= 0; V
CE
=
30 V; T
j
= 150
°
C
I
C
= 0; V
EB
=
5 V
I
C
=
5 mA; V
CE
=
5 V; note 1
I
C
=
50 mA; I
B
=
2.5 mA; note 1
I
C
=
100
μ
A; V
CE
=
5 V
I
C
=
10 mA; V
CE
=
300 mV
nA
μ
A
μ
A
μ
A
I
EBO
h
FE
V
CEsat
V
i(off)
V
i(on)
R1
emitter cut-off current
DC current gain
collector-emitter saturation voltage
input-off voltage
input-on voltage
input resistor
mV
mV
V
k
resistor ratio
0.8
1
1.2
C
c
collector capacitance
I
E
= i
e
= 0; V
CB
=
10 V; f = 1 MHz
9
pF
R1
R2
相關(guān)PDF資料
PDF描述
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參數(shù)描述
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PDTB123EK T/R 功能描述:開(kāi)關(guān)晶體管 - 偏壓電阻器 TRANS RET TAPE-7 RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶體管極性:NPN/PNP 典型輸入電阻器: 典型電阻器比率: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 直流集電極/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作頻率: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 集電極連續(xù)電流:150 mA 峰值直流集電極電流: 功率耗散:200 mW 最大工作溫度: 封裝:Reel
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PDTB123ES 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:PNP 500 mA, 50 V resistor-equipped transistors; R1 = 2.2 kΩ, R2 = 2.2 kΩ
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