參數(shù)資料
型號: PD55025S
廠商: 意法半導(dǎo)體
英文描述: RF POWER TRANSISTORS The LdmoST Plastic FAMILY
中文描述: 射頻功率晶體管LdmoST塑料家庭
文件頁數(shù): 9/13頁
文件大小: 289K
代理商: PD55025S
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PD55025 - PD55025S
FREQ
(MHz)
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179
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-175
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-179
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179
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COMMON SOURCE S-PARAMETER
(PD55025S)
(V
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D
= 500 mA)
COMMON SOURCE S-PARAMETER
(PD55025S)
(V
DS
= 12.5 V I
D
= 1.5 A)
相關(guān)PDF資料
PDF描述
PD55035 RF POWER TRANSISTORS The LdmoST Plastic FAMILY
PD55035S RF POWER TRANSISTORS The LdmoST Plastic FAMILY
PD55F120 THYRISTOR MODULE
PD55F160 THYRISTOR MODULE
PD55F40 THYRISTOR MODULE
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
PD55025S-E 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 POWER RF Transistor RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray
PD55025STR 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 N-Ch 40 Volt 7.0 Amp RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray
PD55025STR-E 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 POWER R.F. RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray
PD55025TR-E 功能描述:MOSFET RF Power Trans N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
PD55035 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 N-Ch 40 Volt 7.0 Amp RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray