參數(shù)資料
型號： PD55025S
廠商： 意法半導體
英文描述： RF POWER TRANSISTORS The LdmoST Plastic FAMILY
中文描述： 射頻功率晶體管LdmoST塑料家庭
文件頁數(shù)： 5/13頁
文件大?。?/td> 289K
代理商： PD55025S
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PD55025 - PD55025S
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Pout (W )
R
Vdd = 12.5 V
Idq = 200 mA
Input Return Loss vs Output Power (f = 175 MHz)
Power Gain vs Output Power (f = 175 MHz)
Drain Efficiency vs Output Power (f = 175 MHz)
TYPICAL PERFORMANCE
Output Power vs Gate-Source Voltage
(PD55025S)
Output Power vs Input Power (f = 175 MHz)
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1
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3
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Vgs (V)
P
Vdd = 12.5 V
Pin = 0.85 W
520 MHz
480 MHz
500 MHz
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2.5
Pin (W )
P
Vdd = 12.5 V
Idq = 200 mA
0
5
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Pout (W)
G
Vdd = 12.5 V
Idq = 200 mA
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Pout (W )
N
Vdd = 12.5 V
Idq = 200 mA
相關PDF資料
PDF描述
PD55035 RF POWER TRANSISTORS The LdmoST Plastic FAMILY
PD55035S RF POWER TRANSISTORS The LdmoST Plastic FAMILY
PD55F120 THYRISTOR MODULE
PD55F160 THYRISTOR MODULE
PD55F40 THYRISTOR MODULE
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
PD55025S-E 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 POWER RF Transistor RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray
PD55025STR 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 N-Ch 40 Volt 7.0 Amp RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray
PD55025STR-E 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 POWER R.F. RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray
PD55025TR-E 功能描述:MOSFET RF Power Trans N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
PD55035 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 N-Ch 40 Volt 7.0 Amp RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray
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