參數(shù)資料
型號： PD55025S
廠商： 意法半導體
英文描述： RF POWER TRANSISTORS The LdmoST Plastic FAMILY
中文描述： 射頻功率晶體管LdmoST塑料家庭
文件頁數(shù)： 6/13頁
文件大?。?/td> 289K
代理商： PD55025S
PD55025 - PD55025S
6/13
500 MHz TEST CIRCUIT SCHEMATIC (ENGINEERING)
500 MHz TEST CIRCUIT COMPONENT PART LIST
COMPONENT
B1,B2
C1,C13
C2,C3,C4,C12,C13,C14
C6
C7, C19
C10, C16
C9, C17
C8, C18
C5, C11
L1
N1, N2
R1
R2
R3
Z1
Z2
Z3
Z4,Z5
Z6
Z7
Z8
Z9
DESCRIPTION
FERRITE BEAD
300 pF, 100 mil CHIP CAPACITOR
1 to 20 pF TRIMMER CAPACITOR
39 pF ATC 100B SURFACE MOUNT CERAMIC CHIP CAPACITOR
120 pF 100 mil CHIP CAPACITOR
10
μ
F, 50 V ELECTROLYTIC CAPACITOR
0.1 mF, 100 mil CHIP CAP
1.000 pF 100 mil CHIP CAP
33 pF, 100 mil CHIP CAP
56 nH, 7 TURN, COILCRAFT
TYPE N FLANGE MOUNT
15
, 1 W CHIP RESISTOR
1 K
, 1 W CHIP RESISTOR
33 K
, 1 W CHIP RESISTOR
0.471” X 0.080” MICROSTRIP
1.082” X 0.080” MICROSTRIP
0.372” X 0.080” MICROSTRIP
0.260” X 0.223” MICROSTRIP
0.050” X 0.080” MICROSTRIP
0.551” X 0.080” MICROSTRIP
0.825” X 0.080” MICROSTRIP
0.489” X 0.080” MICROSTRIP
ROGER, ULTRA LAM 2000 THK 0.030”,
ε
r = 2.55 2oz. ED cu 2 SIDES.
BOARD
RF
INPUT
Z1
Z3
R3
C3
Z2
C2
C10
C9
VGG
+
B1
C19
C18
C17
C16
VDD
Z5
B2
L1
C8
+
R2
C7
C1
Z4
R1
C11
Z6
C13
Z7
C14
Z8
Z9
N2
OUTPUT
RF
C15
DUT
C4
C12
C5
C6
相關PDF資料
PDF描述
PD55035 RF POWER TRANSISTORS The LdmoST Plastic FAMILY
PD55035S RF POWER TRANSISTORS The LdmoST Plastic FAMILY
PD55F120 THYRISTOR MODULE
PD55F160 THYRISTOR MODULE
PD55F40 THYRISTOR MODULE
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
PD55025S-E 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 POWER RF Transistor RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray
PD55025STR 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 N-Ch 40 Volt 7.0 Amp RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray
PD55025STR-E 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 POWER R.F. RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray
PD55025TR-E 功能描述:MOSFET RF Power Trans N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
PD55035 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 N-Ch 40 Volt 7.0 Amp RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray
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