參數(shù)資料
型號： PBSS2515VPN,115
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類： 小信號晶體管
英文描述： 15 V low VCEsat NPN/PNP transistor - I<sub>C</sub> max: 1000 mA; IC (AV): 500 mA; Polarity: NPN / PNP ; Ptot max: 300 mW; V<sub>CEsat</sub> at I<sub>c</sub>=200 mA, I<sub>b</sub>=10 mA: 150 mV; V<sub>CEsat</sub> at I<sub>c</sub>=500 mA, I<sub>b</sub>=50 mA: 250 mV; VCEO max: 15 V; Package: SOT666 (SS-Mini); Container: Tape reel smd
中文描述： 500 mA, 15 V, 2 CHANNEL, NPN AND PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封裝： 1.60 X 1.20 MM, PLASTIC PACKAGE-6
文件頁數(shù)： 5/11頁
文件大?。?/td> 98K
代理商： PBSS2515VPN,115
2005 Jan 11
3
Philips Semiconductors
Product specication
15 V low VCE(sat) NPN/PNP transistor
PBSS2515VPN
LIMITING VALUES
In accordance with the Absolute Maximum Rating System (IEC 60134).
Note
1. Transistor mounted on an FR4 printed-circuit board.
THERMAL CHARACTERISTICS
Notes
1. Transistor mounted on an FR4 printed-circuit board.
2. The only recommended soldering method is reflow soldering.
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
MIN.
MAX.
UNIT
Per transistor; for the PNP transistor with negative polarity
VCBO
collector-base voltage
open emitter
15
V
VCEO
collector-emitter voltage
open base
15
V
VEBO
emitter-base voltage
open collector
6V
IC
collector current (DC)
500
mA
ICM
peak collector current
1A
IBM
peak base current
100
mA
Ptot
total power dissipation
Tamb ≤ 25 °C; note 1
200
mW
Tstg
storage temperature
65
+150
°C
Tj
junction temperature
150
°C
Tamb
operating ambient temperature
65
+150
°C
Per device
Ptot
total power dissipation
Tamb ≤ 25 °C; note 1
300
mW
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
VALUE
UNIT
Rth(j-a)
thermal resistance from junction to ambient
notes 1 and 2
416
K/W
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PDF描述
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PBSS2515YPN,115 15 V low VCEsat NPN/PNP transistor - I<sub>C</sub> max: 1000 mA; IC (AV): 500 mA; Polarity: NPN / PNP ; Ptot max: 430 mW; V<sub>CEsat</sub> at I<sub>c</sub>=200 mA, I<sub>b</sub>=10 mA: 150 mV; V<sub>CEsat</sub> at I<sub>c</sub>=500 mA, I<sub>b</sub>=50 mA: 250 mV; VCEO max: 15 V; Package: SOT363 (SC-88); Container: Tape reel smd
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PBSS2515VS,115 功能描述:兩極晶體管 - BJT TRANS BISS TAPE-7 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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PBSS2515VS115 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:BISS TRANSISTOR DUAL NPN 15V 500MA 6
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