參數(shù)資料
型號(hào)： PBRP123ET,215
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類： 小信號(hào)晶體管
英文描述： PNP 800 mA, 40 V BISS RET; R1 = 2.2 kOhm, R2 = 2.2 kOhm; Package: SOT23 (TO-236AB); Container: Tape reel smd
中文描述： 600 mA, 40 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-263AB
封裝： PLASTIC, SMD, 3 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 9/12頁(yè)
文件大?。?/td> 112K
代理商： PBRP123ET,215
PBRP123ET_1
NXP B.V. 2008. All rights reserved.
Product data sheet
Rev. 01 — 16 January 2008
6 of 12
NXP Semiconductors
PBRP123ET
PNP 800 mA, 40 V BISS RET; R1 = 2.2 k
, R2 = 2.2 k
7.
Characteristics
[1]
Pulse test: tp ≤ 300 s; δ≤ 0.02.
Table 7.
Characteristics
Tamb =25 °C unless otherwise specied.
Symbol
Parameter
Conditions
Min
Typ
Max
Unit
ICBO
collector-base cut-off
current
VCB = 30 V;
IE =0A
--
100
nA
ICEO
collector-emitter cut-off
current
VCE = 30 V;
IB =0A
--
0.5
A
IEBO
emitter-base cut-off
current
VEB = 5V;
IC =0A
--
2mA
hFE
DC current gain
VCE = 5V;
IC = 50 mA
70
120
-
VCE = 5V;
IC = 300 mA
[1] 180
250
-
VCE = 5V;
IC = 600 mA
[1] 170
240
-
VCEsat
collector-emitter
saturation voltage
IC = 50 mA;
IB = 2.5 mA
-
35
45
mV
IC = 200 mA;
IB = 10 mA
-
70
100
mV
IC = 500 mA;
IB = 10 mA
200
300
mV
IC = 600 mA;
IB = 6mA
450
750
mV
VI(off)
off-state input voltage
VCE = 5V;
IC = 100 A
0.6
1
1.8
V
VI(on)
on-state input voltage
VCE = 0.3 V;
IC = 20 mA
1
1.3
2V
R1
bias resistor 1 (input)
1.54
2.2
2.86
k
R2/R1
bias resistor ratio
0.9
1
1.1
Cc
collector capacitance
VCB = 10 V;
IE =ie =0A;
f=1MHz
-11
-
pF
相關(guān)PDF資料
PDF描述
PBRP123YT,215 PNP 800 mA, 40 V BISS RET; R1 = 2.2 kOhm, R2 = 10 kOhm; Package: SOT23 (TO-236AB); Container: Tape reel smd
PBRV-16.0HRY-TOL1 CERAMIC RESONATOR, 16 MHz
PBRV-FREQ2HRZ-TOL1 CERAMIC RESONATOR, 8.01 MHz - 20 MHz
PBRV-20.0HRY-TOL2 CERAMIC RESONATOR, 20 MHz
PBRV-6.00HRZ-TOL2 CERAMIC RESONATOR, 6 MHz
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
PBRP123YS,126 功能描述:開(kāi)關(guān)晶體管 - 偏壓電阻器 BISS RETS RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶體管極性:NPN/PNP 典型輸入電阻器: 典型電阻器比率: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 直流集電極/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作頻率: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 集電極連續(xù)電流:150 mA 峰值直流集電極電流: 功率耗散:200 mW 最大工作溫度: 封裝:Reel
PBRP123YT 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:TRANSISTORPNPW/RES40V0.8ASOT23 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:TRANSISTOR,PNP,W/RES,40V,0.8A,SOT23 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:TRANSISTOR,PNP,W/RES,40V,0.8A,SOT23; Transistor Polarity:PNP; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:-40V; Power Dissipation Pd:250mW; DC Collector Current:-600mA; DC Current Gain hFE:320; Operating Temperature Min:-55C; No. of Pins:3 ;RoHS Compliant: Yes
PBRP123YT T/R 功能描述:開(kāi)關(guān)晶體管 - 偏壓電阻器 BISS RET RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶體管極性:NPN/PNP 典型輸入電阻器: 典型電阻器比率: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 直流集電極/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作頻率: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 集電極連續(xù)電流:150 mA 峰值直流集電極電流: 功率耗散:200 mW 最大工作溫度: 封裝:Reel
PBRP123YT,215 功能描述:開(kāi)關(guān)晶體管 - 偏壓電阻器 BISS RET RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶體管極性:NPN/PNP 典型輸入電阻器: 典型電阻器比率: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 直流集電極/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作頻率: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 集電極連續(xù)電流:150 mA 峰值直流集電極電流: 功率耗散:200 mW 最大工作溫度: 封裝:Reel
PBRR 制造商:SAIA - BURGESS ELECTRONICS INC. 功能描述:Non Catalogue / PBRR
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