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參數(shù)資料
| 型號： | PBRP123ET,215 |
| 廠商： | NXP SEMICONDUCTORS |
| 元件分類： | 小信號晶體管 |
| 英文描述： | PNP 800 mA, 40 V BISS RET; R1 = 2.2 kOhm, R2 = 2.2 kOhm; Package: SOT23 (TO-236AB); Container: Tape reel smd |
| 中文描述： | 600 mA, 40 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-263AB |
| 封裝： | PLASTIC, SMD, 3 PIN |
| 文件頁數(shù)： | 11/12頁 |
| 文件大?。?/td> | 112K |
| 代理商： | PBRP123ET,215 |
PBRP123ET_1
NXP B.V. 2008. All rights reserved.
Product data sheet
Rev. 01 — 16 January 2008
8 of 12
NXP Semiconductors
PBRP123ET
PNP 800 mA, 40 V BISS RET; R1 = 2.2 k
, R2 = 2.2 k
8.
Package outline
VCE = 0.3 V
(1) Tamb = 40 °C
(2) Tamb =25 °C
(3) Tamb = 100 °C
VCE = 5V
(1) Tamb = 40 °C
(2) Tamb =25 °C
(3) Tamb = 100 °C
Fig 9.
On-state input voltage as a function of collector
current; typical values
Fig 10. Off-state input voltage as a function of collector
current; typical values
006aab089
IC (mA)
101
103
102
1
10
1
10
VI(on)
(V)
101
(1)
(2)
(3)
006aab090
IC (mA)
101
102
10
1
10
VI(off)
(V)
101
(1)
(2)
(3)
Fig 11. Package outline SOT23 (TO-236AB)
04-11-04
Dimensions in mm
0.45
0.15
1.9
1.1
0.9
3.0
2.8
2.5
2.1
1.4
1.2
0.48
0.38
0.15
12
3
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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| PBRP123YT,215 | PNP 800 mA, 40 V BISS RET; R1 = 2.2 kOhm, R2 = 10 kOhm; Package: SOT23 (TO-236AB); Container: Tape reel smd |
| PBRV-16.0HRY-TOL1 | CERAMIC RESONATOR, 16 MHz |
| PBRV-FREQ2HRZ-TOL1 | CERAMIC RESONATOR, 8.01 MHz - 20 MHz |
| PBRV-20.0HRY-TOL2 | CERAMIC RESONATOR, 20 MHz |
| PBRV-6.00HRZ-TOL2 | CERAMIC RESONATOR, 6 MHz |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| PBRP123YS,126 | 功能描述:開關(guān)晶體管 - 偏壓電阻器 BISS RETS RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶體管極性:NPN/PNP 典型輸入電阻器: 典型電阻器比率: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 直流集電極/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作頻率: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 集電極連續(xù)電流:150 mA 峰值直流集電極電流: 功率耗散:200 mW 最大工作溫度: 封裝:Reel |
| PBRP123YT | 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:TRANSISTORPNPW/RES40V0.8ASOT23 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:TRANSISTOR,PNP,W/RES,40V,0.8A,SOT23 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:TRANSISTOR,PNP,W/RES,40V,0.8A,SOT23; Transistor Polarity:PNP; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:-40V; Power Dissipation Pd:250mW; DC Collector Current:-600mA; DC Current Gain hFE:320; Operating Temperature Min:-55C; No. of Pins:3 ;RoHS Compliant: Yes |
| PBRP123YT T/R | 功能描述:開關(guān)晶體管 - 偏壓電阻器 BISS RET RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶體管極性:NPN/PNP 典型輸入電阻器: 典型電阻器比率: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 直流集電極/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作頻率: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 集電極連續(xù)電流:150 mA 峰值直流集電極電流: 功率耗散:200 mW 最大工作溫度: 封裝:Reel |
| PBRP123YT,215 | 功能描述:開關(guān)晶體管 - 偏壓電阻器 BISS RET RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶體管極性:NPN/PNP 典型輸入電阻器: 典型電阻器比率: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 直流集電極/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作頻率: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 集電極連續(xù)電流:150 mA 峰值直流集電極電流: 功率耗散:200 mW 最大工作溫度: 封裝:Reel |
| PBRR | 制造商:SAIA - BURGESS ELECTRONICS INC. 功能描述:Non Catalogue / PBRR |
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