參數(shù)資料
型號(hào)： PBRP123ET,215
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類： 小信號(hào)晶體管
英文描述： PNP 800 mA, 40 V BISS RET; R1 = 2.2 kOhm, R2 = 2.2 kOhm; Package: SOT23 (TO-236AB); Container: Tape reel smd
中文描述： 600 mA, 40 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-263AB
封裝： PLASTIC, SMD, 3 PIN
文件頁數(shù)： 6/12頁
文件大?。?/td> 112K
代理商： PBRP123ET,215
PBRP123ET_1
NXP B.V. 2008. All rights reserved.
Product data sheet
Rev. 01 — 16 January 2008
3 of 12
NXP Semiconductors
PBRP123ET
PNP 800 mA, 40 V BISS RET; R1 = 2.2 k
, R2 = 2.2 k
[1]
Device mounted on an FR4 PCB, single-sided copper, tin-plated, mounting pad for collector 1 cm2.
[2]
Device mounted on a ceramic PCB, Al2O3, standard footprint.
[3]
Device mounted on an FR4 PCB, single-sided copper, tin-plated and standard footprint.
Ptot
total power dissipation
Tamb ≤ 25 °C
250
mW
370
mW
570
mW
Tj
junction temperature
-
150
°C
Tamb
ambient temperature
55
+150
°C
Tstg
storage temperature
65
+150
°C
(1) Ceramic PCB, Al2O3 standard footprint
(2) FR4 PCB, mounting pad for collector 1 cm2
(3) FR4 PCB, standard footprint
Fig 1.
Power derating curves for SOT23 (TO-236AB)
Table 5.
Limiting values …continued
In accordance with the Absolute Maximum Rating System (IEC 60134).
Symbol
Parameter
Conditions
Min
Max
Unit
Tamb (°C)
75
175
125
25
75
25
006aaa998
200
400
600
Ptot
(mW)
0
(1)
(2)
(3)
相關(guān)PDF資料
PDF描述
PBRP123YT,215 PNP 800 mA, 40 V BISS RET; R1 = 2.2 kOhm, R2 = 10 kOhm; Package: SOT23 (TO-236AB); Container: Tape reel smd
PBRV-16.0HRY-TOL1 CERAMIC RESONATOR, 16 MHz
PBRV-FREQ2HRZ-TOL1 CERAMIC RESONATOR, 8.01 MHz - 20 MHz
PBRV-20.0HRY-TOL2 CERAMIC RESONATOR, 20 MHz
PBRV-6.00HRZ-TOL2 CERAMIC RESONATOR, 6 MHz
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
PBRP123YS,126 功能描述:開關(guān)晶體管 - 偏壓電阻器 BISS RETS RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶體管極性:NPN/PNP 典型輸入電阻器: 典型電阻器比率: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 直流集電極/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作頻率: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 集電極連續(xù)電流:150 mA 峰值直流集電極電流: 功率耗散:200 mW 最大工作溫度: 封裝:Reel
PBRP123YT 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:TRANSISTORPNPW/RES40V0.8ASOT23 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:TRANSISTOR,PNP,W/RES,40V,0.8A,SOT23 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:TRANSISTOR,PNP,W/RES,40V,0.8A,SOT23; Transistor Polarity:PNP; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:-40V; Power Dissipation Pd:250mW; DC Collector Current:-600mA; DC Current Gain hFE:320; Operating Temperature Min:-55C; No. of Pins:3 ;RoHS Compliant: Yes
PBRP123YT T/R 功能描述:開關(guān)晶體管 - 偏壓電阻器 BISS RET RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶體管極性:NPN/PNP 典型輸入電阻器: 典型電阻器比率: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 直流集電極/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作頻率: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 集電極連續(xù)電流:150 mA 峰值直流集電極電流: 功率耗散:200 mW 最大工作溫度: 封裝:Reel
PBRP123YT,215 功能描述:開關(guān)晶體管 - 偏壓電阻器 BISS RET RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶體管極性:NPN/PNP 典型輸入電阻器: 典型電阻器比率: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 直流集電極/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作頻率: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 集電極連續(xù)電流:150 mA 峰值直流集電極電流: 功率耗散:200 mW 最大工作溫度: 封裝:Reel
PBRR 制造商:SAIA - BURGESS ELECTRONICS INC. 功能描述:Non Catalogue / PBRR
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