- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄367629 > P1553ACRP MCU CMOS 20 LD 4MHZ 1K FLASH, -40C to +85C, 20-SSOP 208mil, TUBE PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號： | P1553ACRP |
| 英文描述： | MCU CMOS 20 LD 4MHZ 1K FLASH, -40C to +85C, 20-SSOP 208mil, TUBE |
| 中文描述： | SIDAC的| 180V五（公報）最大| 800mA的我（縣）|對220VAR |
| 文件頁數(shù)： | 71/161頁 |
| 文件大?。?/td> | 986K |
| 代理商： | P1553ACRP |
第1頁第2頁第3頁第4頁第5頁第6頁第7頁第8頁第9頁第10頁第11頁第12頁第13頁第14頁第15頁第16頁第17頁第18頁第19頁第20頁第21頁第22頁第23頁第24頁第25頁第26頁第27頁第28頁第29頁第30頁第31頁第32頁第33頁第34頁第35頁第36頁第37頁第38頁第39頁第40頁第41頁第42頁第43頁第44頁第45頁第46頁第47頁第48頁第49頁第50頁第51頁第52頁第53頁第54頁第55頁第56頁第57頁第58頁第59頁第60頁第61頁第62頁第63頁第64頁第65頁第66頁第67頁第68頁第69頁第70頁當(dāng)前第71頁第72頁第73頁第74頁第75頁第76頁第77頁第78頁第79頁第80頁第81頁第82頁第83頁第84頁第85頁第86頁第87頁第88頁第89頁第90頁第91頁第92頁第93頁第94頁第95頁第96頁第97頁第98頁第99頁第100頁第101頁第102頁第103頁第104頁第105頁第106頁第107頁第108頁第109頁第110頁第111頁第112頁第113頁第114頁第115頁第116頁第117頁第118頁第119頁第120頁第121頁第122頁第123頁第124頁第125頁第126頁第127頁第128頁第129頁第130頁第131頁第132頁第133頁第134頁第135頁第136頁第137頁第138頁第139頁第140頁第141頁第142頁第143頁第144頁第145頁第146頁第147頁第148頁第149頁第150頁第151頁第152頁第153頁第154頁第155頁第156頁第157頁第158頁第159頁第160頁第161頁
SIDACtor
Data Book
Triac Protection
Teccor Electronics
(972) 580-7777
3 - 31
R
Thyristors
Damage can occur to a thyristor if the thyristor
’
s repetitive peak off-state voltage is
exceeded. A thyristor
’
s repetitive peak off-state voltage may be exceeded due to dirty
AC power mains, inductive spikes, motor latch up, etc.
Thyristor Reference Circuit
Figures 3-33 & 3-34 show two different methods of protecting a triac. In Figure 3-33, a
SIDACtor is connected from MT2 to the gate of the triac. When the voltage applied to
the triac exceeds the SIDACtor
’
s V
DRM
, the SIDACtor turns on, producing a gate
current which turns the triac on.
The circuit in Figure 3-34 places a SIDACtor across MT2 and MT1 of the triac. In this
instance the SIDACtor protects the triac by turning on and shunting the transient
before it exceeds the V
DRM
rating of the triac.
Regardless of the method chosen, when using a SIDACtor to protect a thyristor, the
following design considerations must be followed:
Figure 3-33 TRIAC Protection
Figure 3-34 TRIAC Protection
V
DRM
of the SIDACtor < V
DRM
of Triac
SIDACtor V
DRM
> 120% V
PK(power supply)
SIDACtor must be placed behind the load
MT2
Triac
To
Gating
Circuitry
Hot
Neutral
MT1
SIDACtor
Load
MT2
Triac
To
Gating
Circuitry
Hot
Neutral
MT1
SIDACtor
Load
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| P1602AA | MCU CMOS 18 LD 20MHZ 1K FLASH, 0C to +70C, 18-SOIC 300mil, T/R |
| P1602AARP | MCU CMOS 18 LD 20MHZ 1K FLASH, -40C to +85C, 18-SOIC 300mil, T/R |
| P1602AB | MCU CMOS 18 LD LOW PWR, 0C to +70C, 18-SOIC 300mil, TUBE |
| P1800EA | MCU CMOS 44 LD 20MHZ 4K FLASH, 0C to +70C, 44-PLCC, TUBE |
| P1800EARP1 | MCU CMOS 44 LD 20MHZ 4K FLASH, 0C to +70C, 44-MQFP, TRAY |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| P1553U | 制造商:TECCOR 制造商全稱:TECCOR 功能描述:solid state crowbar devices |
| P1553U_L | 制造商:LITTELFUSE 制造商全稱:Littelfuse 功能描述:Balanced Three-chip SIDACtor |
| P1553UALRP | 功能描述:硅對稱二端開關(guān)元件 3Chp 130V 50A RoHS:否 制造商:Bourns 轉(zhuǎn)折電流 VBO:40 V 最大轉(zhuǎn)折電流 IBO:800 mA 不重復(fù)通態(tài)電流: 額定重復(fù)關(guān)閉狀態(tài)電壓 VDRM:25 V 關(guān)閉狀態(tài)漏泄電流（在 VDRM IDRM 下）: 保持電流（Ih 最大值）:50 mA 開啟狀態(tài)電壓:5 V 關(guān)閉狀態(tài)電容 CO:120 pF 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DO-214AA |
| P1553UALTP | 功能描述:硅對稱二端開關(guān)元件 3Chp 130V 50A RoHS:否 制造商:Bourns 轉(zhuǎn)折電流 VBO:40 V 最大轉(zhuǎn)折電流 IBO:800 mA 不重復(fù)通態(tài)電流: 額定重復(fù)關(guān)閉狀態(tài)電壓 VDRM:25 V 關(guān)閉狀態(tài)漏泄電流（在 VDRM IDRM 下）: 保持電流（Ih 最大值）:50 mA 開啟狀態(tài)電壓:5 V 關(guān)閉狀態(tài)電容 CO:120 pF 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DO-214AA |
| P1553UALXX | 制造商:LITTELFUSE 制造商全稱:Littelfuse 功能描述:The series provides a single port surface mount solution that enables voice |
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。