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參數(shù)資料
| 型號： | P01xxxN |
| 廠商： | 意法半導(dǎo)體 |
| 英文描述： | Sensitive Gate SCR(硅控整流管) |
| 中文描述： | 靈敏柵極可控硅（硅控整流管） |
| 文件頁數(shù)： | 2/5頁 |
| 文件大?。?/td> | 68K |
| 代理商： | P01XXXN |
P
G (AV)
= 0.1W P
GM
= 2 W (tp = 20
μ
s)
I
GM
=1 A (tp = 20
μ
s)
GATE CHARACTERISTICS
(maximumvalues)
Symbol
Parameter
Value
Unit
Rth(j-a)
Junctionto ambient *
60
°
C/W
Rth(j-t)
Junctionto tab for DC
30
°
C/W
* : With 5cm2copper (e=35
μ
m) surfaceunder tab.
THERMAL RESISTANCES
Symbol
Test Conditions
Sensitivity
Unit
02
09
11
I
GT
V
D
=12V (DC) R
L
=140
Tj= 25
°
C
MIN
-
-
4
μ
A
MAX
200
1
25
V
GT
V
D
=12V (DC) R
L
=140
Tj= 25
°
C
MAX
0.8
V
V
GD
V
D
=V
DRM
R
L
=3.3k
R
GK
= 1K
Tj= 125
°
C
MIN
0.1
V
V
RGM
I
RG
=10
μ
A
Tj= 25
°
C
MIN
8
V
tgd
V
D
=V
DRM
dI
G
/dt = 0.1A/
μ
s
I
TM
= 3 x I
T(AV
)
I
G
= 10mA
Tj= 25
°
C
TYP
0.5
μ
s
I
H
I
T
= 50mA R
GK
= 1 K
Tj= 25
°
C
MAX
5
mA
I
L
I
G
=1mA R
GK
= 1K
Tj= 25
°
C
MAX
6
mA
V
TM
I
TM
= 1.6A tp= 380
μ
s
Tj= 25
°
C
MAX
1.95
V
I
DRM
I
RRM
V
D
=V
DRM
R
GK
= 1K
V
R
=V
RRM
Tj= 25
°
C
MAX
1
μ
A
Tj= 125
°
C
MAX
100
μ
A
dV/dt
V
D
=67%V
DRM
R
GK
=1 K
Tj= 125
°
C
MIN
25
25
50
V/
μ
s
tq
I
TM
= 3 x I
T(AV
) V
R
=35V
dI/dt=10A/
μ
s
dV/dt=10V/
μ
s
V
D
= 67%V
DRM
R
GK
=1 K
tp=100
μ
s
Tj= 125
°
C
MAX
200
μ
s
ELECTRICALCHARACTERISTICS
ORDERING INFORMATION
P
01
02
A
N
SCR PLANAR
CURRENT
PACKAGE:
N =SOT223
VOLTAGE
SENSITIVITY
P01xxxN
2/5
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| P1000A | Silicon Rectifiers |
| P1000B | Silicon Rectifiers |
| P1000D | Silicon Rectifiers |
| P1000G | Silicon Rectifiers |
| P1000J | Silicon Rectifiers |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| P01XXYA1AA3 | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:0.8A SCRs |
| P01XXYA2AL3 | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:0.8A SCRs |
| P02.7P4FZCCC | 制造商:undefined 功能描述: |
| P020 | 制造商:ENSIGN 制造商全稱:ENSIGN 功能描述:Captain Class |
| P0200014700KAEY000 | 制造商:Vishay BCcomponents 功能描述: |
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