參數(shù)資料
型號(hào)： NTP2955
廠商： ON SEMICONDUCTOR
元件分類： JFETs
英文描述： Power MOSFET 60V, 12A, Single P Channel, TO220(60V, 12A功率MOSFET)
中文描述： 2.4 A, 60 V, 0.196 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB
封裝： PLASTIC, CASE 221A-09, TO-220, 3 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 3/5頁(yè)
文件大?。?/td> 141K
代理商： NTP2955
NTP2955
http://onsemi.com
3
0
5
10
15
20
25
0
2
4
6
8
10
Figure 1. On
Region Characteristics
V
DS
, DRAIN
TO
SOURCE VOLTAGE (V)
I
D
,
T
J
= 25
°
C
V
GS
=
10 V
9.5 V
8.0 V
7.0 V
6.0 V
5.5 V
5.0 V
4.5 V
4.0 V
.
0
5
10
15
20
25
0
2
4
6
8
10
Figure 2. Transfer Characteristics
V
GS
, GATE
TO
SOURCE VOLTAGE (V)
I
D
,
V
GS
=
10 V
T
J
= 125
°
C
T
J
= 25
°
C
T
J
=
55
°
C
0
0.1
0.2
0.3
0.4
0
2
4
I
D
, DRAIN CURRENT (A)
6
8
10
12
14
Figure 3. On
Resistance versus Drain Current
and Temperature
R
D
,
T
S
T = 125
°
C
T = 25
°
C
T =
55
°
C
V
GS
=
10 V
0
0.1
0.2
0.3
0.4
0
2
4
6
8
10
12
14
Figure 4. On
Resistance versus Drain Current
and Gate Voltage
I
D
, DRAIN CURRENT (A)
R
D
,
T
S
V
GS
=
10 V
V
GS
=
15 V
T
J
= 25
°
C
0
50
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
25
0
25
50
75
100
125
150
175
Figure 5. On
Resistance Variation
with Temperature
T
J
, JUNCTION TEMPERATURE (
°
C)
R
D
,
T
S
I
D
=
12 A
V
GS
=
10 V
1
10
100
1000
0
10
20
30
40
50
60
Figure 6. Drain
to
Source Leakage
versus Voltage
V
DS
, DRAIN
TO
SOURCE VOLTAGE (V)
I
D
,
T
J
= 125
°
C
T
J
= 100
°
C
V
GS
= 0 V
相關(guān)PDF資料
PDF描述
NTP4302 CONNECTOR ACCESSORY
NTB4302 Power MOSFET 74 Amps, 30 Volts
NTB4302T4 Power MOSFET 74 Amps, 30 Volts
NTP52N10 Power MOSFET 52 Amps, 100 Volts
NTP52N10D Power MOSFET 52 Amps, 100 Volts
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
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NTP30N06 功能描述:MOSFET N-CH 60V 27A TO220AB RoHS:否 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開(kāi)態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
NTP30N06L 功能描述:MOSFET NFET 60V 30A LL RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
NTP30N06LG 功能描述:MOSFET NFET 60V 30A LL RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
NTP30N20 功能描述:MOSFET 200V 30A N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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